[发明专利]化学水浴薄膜的沉积方法在审
| 申请号： | 201810548665.4 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110556326A | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈腾 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 11435 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 102600 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种化学水浴薄膜的沉积方法，包括以下步骤：复合步骤：将隔离保护层覆盖在镀膜衬底的一表面形成一复合层；反应步骤：将复合层通过水浴反应室，启动水浴反应，使镀膜衬底在水浴反应室内进行单面薄膜沉积；分离步骤：沉积完后进行隔离保护层与镀膜衬底的分离。采用本发明的化学水浴薄膜沉积方法，可以阻止化学水浴在衬底背面的沉积，从而避免后续背面清洗工艺处理，既提高生产效率，又节约生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 沉积 水浴反应 化学水 镀膜 隔离保护层 复合层 节约生产成本 薄膜沉积 表面形成 单面薄膜 分离步骤 复合步骤 清洗工艺 生产效率 薄膜 背面 室内 覆盖 申请 | ||
【主权项】：
1.一种化学水浴薄膜的沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：/n复合步骤：将隔离保护层覆盖在镀膜衬底的一表面形成一复合层；/n反应步骤：将复合层通过水浴反应室，启动水浴反应，使镀膜衬底在水浴反应室内进行单面薄膜沉积；/n分离步骤：沉积完后进行隔离保护层与镀膜衬底的分离。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
