[发明专利]一种太阳能电池及其芯片和该芯片的制备方法在审
申请号: | 201810537579.3 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108807582A | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 潘志平;庞瑞卿;陆羽;贾虎 | 申请(专利权)人: | 安徽银欣新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/052 | 分类号: | H01L31/052;H01L31/18;H01L31/04 |
代理公司: | 安徽知问律师事务所 34134 | 代理人: | 韦超峰;胡锋锋 |
地址: | 243000 安徽省马鞍山市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种太阳能电池及其芯片和该芯片的制备方法,属于太阳能电池技术领域。本发明的太阳能电池芯片,包括电池芯片单元,该电池芯片单元包括导热基板及固定于导热基板上的多个纳米柱结构,该纳米柱结构包括自下而上依次设置的金属电极、p型氮化镓层和多量子阱层,所述多量子阱层的上方设有n型氮化镓层;其制备步骤为:在衬底上外延源区结构;制备透明电极;在金属电极上刻出圆形图形,利用干法刻蚀技术刻蚀出纳米柱结构,把金属电极焊接在导热基板上,剥离掉衬底;制备n面电极,并光刻出图形;集成封装。采用本发明的方法制备得到的太阳能电池芯片可以大大增加光吸收面积及光电效率,且同时可以吸收多个太阳能光谱。 | ||
搜索关键词: | 制备 纳米柱结构 导热基板 金属电极 芯片 太阳能电池芯片 多量子阱层 太阳能电池 电池芯片 衬底 太阳能电池技术 干法刻蚀技术 制备透明电极 太阳能光谱 光电效率 集成封装 依次设置 圆形图形 光吸收 光刻 刻蚀 源区 焊接 剥离 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池芯片,其特征在于:包括电池芯片单元,该电池芯片单元包括导热基板(9)及固定于导热基板(9)上的多个纳米柱结构,所述的纳米柱结构包括自下而上依次设置的金属电极(5)、p型氮化镓层(4)和多量子阱层(3),所述多量子阱层(3)的上方设有n型氮化镓层(2)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的