[发明专利]用于确定是否对掩模结构进行订制的方法、非暂时性计算机可读介质和/或装置在审
| 申请号： | 201810536001.6 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN108984822A | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 金成钟 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50;G03F1/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴晓兵 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于使用处理器确定是否对掩模结构进行订制的方法可以包括：获取EUV图案布局的仿真结果；确定相关性参数(CP)；生成预测晶片工艺窗口；以及基于CP和预测晶片工艺窗口确定掩模结构适合于订制。处理器可以基于加权值以及仿真结果中的仿真焦深(DOF)、仿真能量容忍度(EL)、仿真线边缘粗糙度区域参数和仿真线边缘粗糙度宽度参数来确定CP。CP可以指示EUV图案布局的仿真结果与EUV图案布局的实际晶片结果之间的相关性。预测晶片工艺窗口可以由处理器基于CP而生成。预测晶片工艺窗口可以指示EUV图案布局的实际晶片结果是否包括图案化缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺窗口 图案布局 预测晶片 仿真结果 掩模结构 订制 处理器 边缘粗糙度 仿真线 晶片 非暂时性计算机 可读介质 宽度参数 区域参数 容忍度 图案化 焦深 加权 | ||
【主权项】：
1.一种用于使用处理器确定是否对掩模结构进行订制的方法，所述方法包括：获取EUV图案布局的仿真结果，所述仿真结果包括仿真焦深(DOF)、仿真能量容忍度(EL)、小于或等于第一阈值的仿真线边缘粗糙度(LER)区域参数以及小于或等于第二阈值的仿真线边缘粗糙度宽度参数，所述仿真线边缘粗糙度区域参数指示所述EUV图案布局的仿真结果中的一个或多个区域特征的粗糙度，所述仿真线边缘粗糙度宽度参数指示所述EUV图案布局的仿真结果中的一个或多个线特征的粗糙度；使用所述处理器基于所述仿真焦深、所述仿真能量容忍度、所述仿真线边缘粗糙度区域参数、所述仿真线边缘粗糙度宽度参数以及用于所述仿真结果的加权值来确定相关性参数(CP)，所述相关性参数指示所述EUV图案布局的仿真结果与所述EUV图案布局的实际晶片结果之间的相关性；使用所述处理器基于所述相关性参数生成预测晶片工艺窗口，所述预测晶片工艺窗口指示所述EUV图案布局的实际晶片结果是否包括图案化缺陷；以及基于所述相关性参数和所述预测晶片工艺窗口来确定所述掩模结构适合于订制。
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