[发明专利]用于确定是否对掩模结构进行订制的方法、非暂时性计算机可读介质和/或装置

权利要求书

1.一种用于使用处理器确定是否对掩模结构进行订制的方法，所述方法包括：

获取EUV图案布局的仿真结果，

所述仿真结果包括仿真焦深(DOF)、仿真能量容忍度(EL)、小于或等于第一阈值的仿真线边缘粗糙度(LER)区域参数以及小于或等于第二阈值的仿真线边缘粗糙度宽度参数，

所述仿真线边缘粗糙度区域参数指示所述EUV图案布局的仿真结果中的一个或多个区域特征的粗糙度，

所述仿真线边缘粗糙度宽度参数指示所述EUV图案布局的仿真结果中的一个或多个线特征的粗糙度；

使用所述处理器基于所述仿真焦深、所述仿真能量容忍度、所述仿真线边缘粗糙度区域参数、所述仿真线边缘粗糙度宽度参数以及用于所述仿真结果的加权值来确定相关性参数(CP)，

所述相关性参数指示所述EUV图案布局的仿真结果与所述EUV图案布局的实际晶片结果之间的相关性；

使用所述处理器基于所述相关性参数生成预测晶片工艺窗口，所述预测晶片工艺窗口指示所述EUV图案布局的实际晶片结果是否包括图案化缺陷；以及

基于所述相关性参数和所述预测晶片工艺窗口来确定所述掩模结构适合于订制。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述仿真线边缘粗糙度区域参数是小于或等于所述第一阈值的随机边缘放置误差(SEPE)带空间，

所述仿真线边缘粗糙度宽度参数是小于或等于所述第二阈值的随机边缘放置误差带宽。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，确定所述相关性参数包括根据下述等式1来计算EpPix值：

[等式1]

EpPix＝{(1+w_i^a+w_ii^b)-(e，f)}×(1+w_iii^c+w_iv^d)}

其中，在等式l中，

a是所述仿真焦深的焦点中心，

b是所述仿真能量容忍度的剂量中心，

c是所述随机边缘放置误差带空间，

d是所述随机边缘放置误差带宽，

w_i、w_ii、w_iii和w_iv是所述加权值的分量，以及

(e，f)是曝光-焦点补偿因子。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，生成所述预测晶片工艺窗口包括：使用所述处理器基于所述EpPix值生成焦点曝光度量(FEM)的预测。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，生成所述焦点曝光度量的预测包括：生成预测的焦点曝光度量余量图。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

生成所述焦点曝光度量的预测包括：生成所述预测的焦点曝光度量余量图以包括第一焦点区域、围绕所述第一焦点区域的第二焦点区域、围绕所述第二焦点区域的第三焦点区域和围绕所述第三焦点区域的第四焦点区域；

生成所述预测晶片工艺窗口包括以下操作中的至少一项：

响应于所述EpPix值大于第一值且小于或等于第二值，预测不会在所述第一焦点区域至所述第四焦点区域中发生图案化缺陷或者在所述第四焦点区域处发生图案化缺陷，

响应于所述EpPix值大于所述第二值且小于或等于第三值，预测在所述第三焦点区域和所述第四焦点区域中的至少一个中发生图案化缺陷，

响应于所述EpPix值大于所述第三值且小于或等于第四值，预测在所述第二焦点区域、所述第三焦点区域和所述第四焦点区域中的至少一个中发生图案化缺陷，以及

响应于所述EpPix值大于所述第四值，预测在所述第一焦点区域、所述第二焦点区域、所述第三焦点区域和所述第四焦点区域中的至少一个中发生图案化缺陷。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，

所述第一值为0，

所述第二值为10，

所述第三值为20，以及

所述第四值为30。