[发明专利]用于确定是否对掩模结构进行订制的方法、非暂时性计算机可读介质和/或装置

说明书

一种用于使用处理器确定是否对掩模结构进行订制的方法可以包括：获取EUV图案布局的仿真结果；确定相关性参数(CP)；生成预测晶片工艺窗口；以及基于CP和预测晶片工艺窗口确定掩模结构适合于订制。处理器可以基于加权值以及仿真结果中的仿真焦深(DOF)、仿真能量容忍度(EL)、仿真线边缘粗糙度区域参数和仿真线边缘粗糙度宽度参数来确定CP。CP可以指示EUV图案布局的仿真结果与EUV图案布局的实际晶片结果之间的相关性。预测晶片工艺窗口可以由处理器基于CP而生成。预测晶片工艺窗口可以指示EUV图案布局的实际晶片结果是否包括图案化缺陷。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年6月2日递交的美国临时专利申请第62/514,082号和于2018年5月23日递交的美国非临时申请第15/987,238号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及一种用于确定是否对用于图案化工艺的掩模结构进行订制的方法和/或装置，和/或更具体地涉及一种用于确定是否对用于远紫外(EUV)图案化工艺的掩模结构进行订制的方法。

背景技术

半导体行业正研究EUV图案化作为下一代光刻技术。目前正在进行光致抗蚀剂开发以支持EUV图案化。作为开发EUV图案化工艺的一部分，可以使用计算技术来对EUV图案化工艺进行仿真。如果EUV图案化工艺的仿真满足仿真成功标准，则可以基于EUV图案化仿真来对掩模结构进行订制。然后，可以通过形成实际的抗蚀剂图案来测试EUV图案化工艺。

另一方面，如果实际的抗蚀剂图案的结果与EUV图案化仿真没有很好地相关，则可以改变EUV图案化工艺的仿真。在改变EUV图案工艺的仿真之后，可以基于改变的EUV图案化仿真来对不同的掩模进行订制。然后，可以测试不同的掩模以形成另一抗蚀剂图案。

线边缘粗糙度(LER)可以是用于确定EUV工艺中的抗蚀剂工艺窗口的因素。已经引入了一个名为随机边缘放置误差(SEPE)的概念；然而，SEPE不能预测用于在晶片上令人满意地形成实际抗蚀剂图案的工艺窗口。

发明内容

一些示例性实施例涉及一种用于使用处理器根据仿真结果预测EUV图案化余量的改进方法。

一些示例性实施例涉及一种用于使用处理器确定是否对掩模结构进行订制的方法。

根据一些示例性实施例，提供一种用于使用处理器确定是否对掩模结构进行订制的方法。所述方法可以包括：获取EUV图案布局的仿真结果；使用处理器确定相关性参数(CP)；使用处理器基于CP生成预测晶片工艺窗口；以及基于CP和预测晶片工艺窗口确定掩模结构适合于订制。仿真结果可以包括仿真焦深(DOF)、仿真能量容忍度(EL)、小于或等于第一阈值的仿真线边缘粗糙度(LER)区域参数以及小于或等于第二阈值的仿真LER宽度参数。仿真LER区域参数可以指示EUV图案布局的仿真结果中的一个或多个区域特征的粗糙度。仿真LER宽度参数可以指示EUV图案布局的仿真结果中的一个或多个线特征的粗糙度。可以使用处理器基于仿真DOF、仿真EL、仿真LER区域参数、仿真LER宽度参数以及用于仿真结果的加权值来确定CP。CP可以指示EUV图案布局的仿真结果与EUV图案布局的实际晶片结果之间的相关性。可以使用处理器基于CP来生成预测晶片工艺窗口。预测晶片工艺窗口可以指示EUV图案布局的实际晶片结果是否包括图案化缺陷。

一些示例性实施例涉及一种存储指令的非暂时性计算机可读介质，所述指令在由处理器执行时使所述处理器控制电子设备执行上述方法中的一种或多种。