[发明专利]一种白光LED及其制备方法有效
申请号: | 201810535024.5 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108511583B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 谭永胜;李秀东;方泽波 | 申请(专利权)人: | 绍兴文理学院 |
主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50 |
代理公司: | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人: | 郭云梅 |
地址: | 312000 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明属于照明技术领域,具体涉及一种白光LED及其制备方法,包括碳化硅衬底、近紫外发光二极管、铕掺杂硅碳氧层及两个金属电极,所述碳化硅衬底上表面设置有铕掺杂硅碳氧层和金属电极,且金属电极位于铕掺杂硅碳氧层正中心,所述碳化硅衬底下表面设置有近紫外发光二极管,所述近紫外发光二极管下表面设置有金属电极。本发明解决了现有白光LED技术中需要专门生产荧光粉并涂覆的问题,简化了白光LED生产工艺,实现高效白光照明。 | ||
搜索关键词: | 金属电极 白光LED 近紫外发光二极管 碳化硅 铕掺杂 硅碳 氧层 制备 荧光粉 照明技术领域 衬底上表面 衬底下表面 白光照明 下表面 正中心 衬底 涂覆 生产工艺 生产 | ||
【主权项】:
1.一种白光LED,其特征在于:包括碳化硅衬底、近紫外发光二极管、铕掺杂硅碳氧层及两个金属电极,所述碳化硅衬底上表面设置有铕掺杂硅碳氧层和金属电极,且金属电极位于铕掺杂硅碳氧层正中心,所述碳化硅衬底下表面设置有近紫外发光二极管,所述近紫外发光二极管下表面设置有金属电极。
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