[发明专利]改进型半导体整流桥生产工艺流程

摘要

本发明公开了一种改进型半导体整流桥生产工艺流程，属于电力电子半导体器件领域，解决了传统整流桥生产工艺易出现虚焊、空焊现象的问题。主要利用高速电动旋转台高速旋转去除晶粒、P面焊片、N面焊片在存放过程中产生的氧化层。本发明巧妙将高速电动旋转台应用于半导体技术领域，利用其高速旋转的极细高密度金属刷去除晶粒表层及焊面表层的氧化层，使得晶粒与PN面焊片接触面积高达100％，有效杜绝整流桥生产过程中产生的空焊、虚焊现象，大幅度提高产品的使用寿命本发明工艺流程操作步骤简单，实现成本低，能为企业创造可观经济、社会效益，可广泛应用于半导体器件技术领域。

主权项

1.一种改进型半导体整流桥生产工艺流程，其特征在于，包括如下步骤：s1:预先准备晶粒、P面焊片和N面焊片；s2:将所述步骤s1中的P面焊片、N面焊片利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除其存放过程中产生的氧化层；s3:将所述步骤s2中的P面焊片装填进预焊板；s4:所述晶粒具有P面和N面，同样利用高速电动旋转台的极细高密度金属刷高速旋转去除晶粒两面在存放过程中产生的氧化层；s5:将经步骤s4处理后的晶粒通过分向筛盘进行分向以保证所述晶粒的P面朝上，并将分向后的晶粒倒扣置于经步骤b处理后的P面焊片上使得所述晶粒的P面紧贴所述P面焊片，将经步骤b处理后的N面焊片紧贴于所述晶粒的N面并与所述P面焊片包夹所述晶粒；s5:将所述预焊板通过高温焊接炉进行预焊处理，从而获得预焊后的晶粒；s6:将上框架和下框架并排置于框架盘上；s7:将助焊溶剂涂抹到所述上框架和所述下框架上；s8:将所述预焊后的晶粒装填至所述下框架上；s9:将所述上框架翻转盖到所述下框架上，从而获得合片；s10:将所述合片置于石墨模具中并盖好石墨；s11:将放有所述合片的石墨模具通过焊接炉进行焊接处理，再经过封装和分解获得半导体整流桥。