[发明专利]一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法有效
申请号: | 201810524099.3 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108735832B | 公开(公告)日: | 2020-09-25 |
发明(设计)人: | 王馨梅;张丽妮;曹瑞彬;刘艳涛;贾婉丽;张超 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 王蕊转 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关,包括半绝缘衬底,在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极,在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域,电触发区域的上方制作有绝缘层,绝缘层的两端分别制作有阴极,阴极与电触发区域的上端接触,绝缘层的上表面中心处制作有栅极,在激光触发区域的激光入射侧的对侧安装有全反射镜。本发明还公开了上述光电导开关的制作方法。本发明提供的光电导开关能够改善漏电流问题,并提高光能利用率。 | ||
搜索关键词: | 一种 横向 绝缘 栅型光 电导 开关 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种横向绝缘栅型光电导开关,其特征在于:包括半绝缘衬底(8),在半绝缘衬底(8)的下表面上依次制作有重n型掺杂区II(9)和阳极(10),在该半绝缘衬底(8)的上方制作有电触发区域(11),电触发区域的上方制作有绝缘层(3),绝缘层(3)的两端分别制作有阴极(1),阴极(1)与电触发区域(11)的上端接触,绝缘层(3)的上表面中心处制作有栅极(2),在半绝缘衬底(8)的激光(12)入射侧的对侧安装有全反射镜(13)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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