[发明专利]一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810524099.3 申请日: 2018-05-28
公开(公告)号: CN108735832B 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 王馨梅;张丽妮;曹瑞彬;刘艳涛;贾婉丽;张超 申请(专利权)人: 西安理工大学
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/0352;H01L31/113;H01L31/18
代理公司: 西安弘理专利事务所 61214 代理人: 王蕊转
地址: 710048*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种横向绝缘栅型光电导开关,包括半绝缘衬底,在半绝缘衬底的下表面上依次制作有重n型掺杂区II和阳极,在该半绝缘衬底的上方制作有电触发区域,电触发区域的上方制作有绝缘层,绝缘层的两端分别制作有阴极,阴极与电触发区域的上端接触,绝缘层的上表面中心处制作有栅极,在激光触发区域的激光入射侧的对侧安装有全反射镜。本发明还公开了上述光电导开关的制作方法。本发明提供的光电导开关能够改善漏电流问题,并提高光能利用率。
搜索关键词: 一种 横向 绝缘 栅型光 电导 开关 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种横向绝缘栅型光电导开关,其特征在于:包括半绝缘衬底(8),在半绝缘衬底(8)的下表面上依次制作有重n型掺杂区II(9)和阳极(10),在该半绝缘衬底(8)的上方制作有电触发区域(11),电触发区域的上方制作有绝缘层(3),绝缘层(3)的两端分别制作有阴极(1),阴极(1)与电触发区域(11)的上端接触,绝缘层(3)的上表面中心处制作有栅极(2),在半绝缘衬底(8)的激光(12)入射侧的对侧安装有全反射镜(13)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安理工大学,未经西安理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810524099.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top