[发明专利]一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法有效
| 申请号： | 201810521000.4 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110544668B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘洋 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳市*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其以硅片为原材料，依次通过氧化、注入、键合、裂片、贴膜处理；贴膜要求是：使用贴膜设备贴膜过程中不能对SOI片正背面划伤，设备吸附硅片时，不能掉落；使用蓝膜，所需蓝膜厚度在0‑0.5mm；把膜贴在硅片背面，此时硅片背面存在膜；然后使用浓氢氟酸去掉硅片正面边缘氧化层；再经过浓SC1去掉SOI背面膜，再经过SC1和SC2清洗，测试SOI边缘STIR，此时的STIR小于0.3μm。本发明使用贴蓝膜方式去掉边缘氧化层，SITR较小；其替代了倒角工序，且得到SOI的STIR更好。本发明更适合工业化生产，可批量产出。其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 改变 soi 边缘 stir 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：以硅片为原材料，首先依次通过氧化、注入、键合、裂片、贴膜处理；其中：贴膜的技术要求是：使用贴膜设备贴膜过程中不能对SOI片正背面划伤，设备吸附硅片时，不能掉落；使用蓝膜，所需蓝膜厚度在0-0.5mm；把膜贴在硅片背面，此时硅片背面存在膜；然后使用浓氢氟酸去掉硅片正面边缘氧化层；此时硅片背面存在膜，故此不会对SOI背面造成损伤；再经过浓SC1去掉SOI背面膜，再经过SC1和SC2清洗，通过设备测试SOI边缘STIR，此时的STIR小于0.3μm。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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