[发明专利]一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法

权利要求书

1.一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：以硅片为原材料，首先依次通过氧化、注入、键合、裂片、贴膜处理；其中：贴膜的技术要求是：使用贴膜设备贴膜过程中不能对SOI片正背面划伤，设备吸附硅片时，不能掉落；使用蓝膜，所需蓝膜厚度在0-0.5mm；把膜贴在硅片背面，此时硅片背面存在膜；然后使用浓氢氟酸去掉硅片正面边缘氧化层；此时硅片背面存在膜，故此不会对SOI背面造成损伤；再经过浓SC1去掉SOI背面膜，再经过SC1和SC2清洗，通过设备测试SOI边缘STIR，此时的STIR小于0.3μm。

2.按照权利要求1所述通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：所述氧化工艺步骤具体为：将所述硅片的一侧表面上进行氧化，获得带有氧化层的硅片；然后进行清洗去除表面污染物，然后使用测试设备测试该带有氧化层的硅片表面颗粒情况、氧化层的厚度及其他各项参数，选择符合要求的硅片备用。

3.按照权利要求2所述通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：所述注入工艺步骤具体为：将带有氧化层的硅片，进行注入H+，注入到产品所需深度；按照具体的注入条件即能量、剂量、束流大小、角度要求进行，注入后按照下述要求进行清洗：使用浓硫酸，SC1,SC2清洗；以便去除表面污染物，然后使用测试设备测试该带有注入氢离子的硅片表面颗粒、几何参数及其他各项参数，选择符合条件的硅片备用。

4.按照权利要求3所述通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：所述键合工艺步骤具体为：再准备一个硅片，该具体为氧化片或光片，且其电阻率和晶向根据需求选取，对这一新硅片进行表面清洗去除表面自然氧化层及表层污染物后，使用测试设备测试硅片表面颗粒情况，将符合要求的硅片与注入的硅片进行键合，所得到的键合片进行100-350℃的低温退火，即获得带有注入的键合片。

5.按照权利要求4所述通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：所述裂片过程为：将键合片放入裂片机内，使用如下的裂片工艺处理：硅片在腔室中升温到100-200℃，保温10-30min；开启微波磁控头，进行裂片，时间为1-10min，裂片后可得到SOI产品。

6.按照权利要求5所述通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：所述低温退火的具体要求是：是在键合后与裂片前进行低温退火，低温退火温度在100-300℃2-5小时。