[发明专利]一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法

说明书

一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其以硅片为原材料，依次通过氧化、注入、键合、裂片、贴膜处理；贴膜要求是：使用贴膜设备贴膜过程中不能对SOI片正背面划伤，设备吸附硅片时，不能掉落；使用蓝膜，所需蓝膜厚度在0‑0.5mm；把膜贴在硅片背面，此时硅片背面存在膜；然后使用浓氢氟酸去掉硅片正面边缘氧化层；再经过浓SC1去掉SOI背面膜，再经过SC1和SC2清洗，测试SOI边缘STIR，此时的STIR小于0.3μm。本发明使用贴蓝膜方式去掉边缘氧化层，SITR较小；其替代了倒角工序，且得到SOI的STIR更好。本发明更适合工业化生产，可批量产出。其具有可预期的较为巨大的经济价值和社会价值。

技术领域：

本发明涉及SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅；该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层)的制造领域，特别提供了一种通过贴膜改变SOI边缘STIR(局部平坦度)的方法。

背景技术：

现有技术中，近年来，随着我国硅材料加工技术的不断发展，人们对晶片加工过程中的加工质量及检测方法已愈来愈引起重视。加工过程中的质量检测已变得十分重要了。其中表征晶片加工参数的几个重要几何参数：弯曲度、厚度和总厚度变化的检测及检测方法尤为硅片生产厂家、器件生产厂家所关注。自动化程度很高的晶片检测系统已经不断问世。如美国ADE公司、TENCOR公司、TROPEL公司和SILTEC公司等均研制出了能满足用户对晶片检测要求的自动检测系统。例如ADE公司的700型晶片检测系统。该系统是一种积木式结构,它除了可以检晶片的弯曲度、厚度、总厚度变化以外,还能测量弯曲度(TIR)、厚度(FPD)、总厚度变化(LSL)等多种参数。还可进行电阻率、参杂类型、表面焦亮检查等多种检测。其自动化程度很高，片子的处理能力为60片/小时。还有像TROPEL公司的900型AutoSort晶片检测系统,据称它是目前唯一的检测功能最全的自动晶片检测系统。在晶片的加工过程中,由于晶片检测的需要和应用程度是随每个生产厂家的不同而有差异的。

因此，人们期望获得一种具有操作性能够灵活改变SOI边缘STIR的方法。

发明内容：

本发明的目的是提供一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法。

本发明提供了一种通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，其特征在于：以硅片为原材料，首先依次通过氧化、注入、键合、裂片、贴膜处理；其中：贴膜的技术要求是：使用贴膜设备贴膜过程中不能对SOI片正背面划伤，设备吸附硅片时，不能掉落；所需蓝膜厚度在0-0.5mm，半导体行业所用蓝膜即可；把膜贴在硅片背面，此时硅片背面存在膜；然后使用浓氢氟酸去掉硅片正面边缘氧化层(此时硅片背面存在膜，不会对SOI背面造成损伤)，再经过浓SC1去掉SOI背面膜，再经过SC1和SC2清洗(SC1和SC2为行业标准进行清洗)，通过9600设备测试SOI边缘STIR，此时的STIR小于0.3μm。硅片原材料的电阻率和晶向根据实际需求选择。

所述通过贴膜改变SOI边缘STIR的方法，优选的技术要求是：

所述氧化工艺步骤具体为：将所述硅片原材料的一侧表面上进行氧化，获得带有氧化层的硅片；然后进行清洗去除表面污染物，然后使用测试设备测试该带有氧化层的硅片表面颗粒情况、氧化层的厚度及其他各项参数，选择符合要求的硅片备用。

所述注入工艺步奏具体为：将带有氧化层的硅片，进行注入H⁺，注入到产品所需深度；按照具体的注入条件即能量、剂量、束流大小、角度要求进行，注入后按照下述要求进行清洗：使用浓硫酸，SC1,SC2清洗；以便去除表面污染物，然后使用测试设备测试该带有注入氧化层的硅片表面颗粒、几何参数及其他各项参数，选择符合条件(产品不同，不能统一)的硅片备用。