[发明专利]光检测装置及摄像装置有效
申请号: | 201810516576.1 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN109216381B | 公开(公告)日: | 2023-03-21 |
发明(设计)人: | 高濑雅之;宍戸三四郎 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H04N25/70 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供能提高检测光入射的定时中的时间分辨率的光检测装置及摄像装置。光检测装置具备:光电转换部;第一电荷转送路径,第一端与光电转换部连接,在从第一端向第二端的第一方向上转送来自光电转换部的电荷;第二电荷转送路径,从第一电荷转送路径的第一位置分支;第三电荷转送路径,从第一电荷转送路径的在第一方向上与第一位置相比离光电转换部更远的第二位置分支;第一电荷积蓄部;第二电荷积蓄部;第一栅极电极,对第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换;以及至少一个第二栅极电极,对第二及第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换,在平面视时,第三电荷转送路径的宽度比第二电荷转送路径的宽度更宽。 | ||
搜索关键词: | 检测 装置 摄像 | ||
【主权项】:
1.一种光检测装置,具备:光电转换部,生成电荷;第一电荷转送路径,具有第一端和第二端,所述第一端与所述光电转换部连接,所述第一电荷转送路径在从所述第一端向所述第二端的第一方向上转送来自所述光电转换部的电荷;第二电荷转送路径,从所述第一电荷转送路径的第一位置分支;第三电荷转送路径,从所述第一电荷转送路径的第二位置分支,在所述第一方向上所述第二位置离所述光电转换部比所述第一位置离所述光电转换部更远;第一电荷积蓄部,积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第二电荷转送路径转送的电荷;第二电荷积蓄部,积蓄从所述第一电荷转送路径经由所述第三电荷转送路径转送的电荷;第一栅极电极,对所述第一电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换;以及至少一个第二栅极电极,对所述第二电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换,以及对所述第三电荷转送路径中的电荷的转送及阻断进行切换,在平面视时,所述第三电荷转送路径的宽度比所述第二电荷转送路径的宽度更宽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的