[发明专利]一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法在审
申请号: | 201810509531.1 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108677156A | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 宋忠孝;张宏凯;李雁淮 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/02;C23C14/58;B82Y40/00 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 徐文权 |
地址: | 710049 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法。包括以下步骤:对基板材料进行化学清洗后用射频等离子体进行清洗,然后利用磁控溅射技术在基板上沉积钛薄膜层,经过热处理即可得到具有自清洁疏水特性的二氧化钛纳米棒阵列薄膜。相对现有技术,本发明极大的简化了具有疏水特性的二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备流程,且成本低廉,制备周期短,节能环保,扩大了二氧化钛薄膜的使用范围。 | ||
搜索关键词: | 二氧化钛纳米棒阵列 薄膜 制备 疏水特性 磁控溅射技术 二氧化钛薄膜 射频等离子体 热处理 化学清洗 节能环保 制备周期 钛薄膜层 对基板 自清洁 基板 沉积 清洗 | ||
【主权项】:
1.一种二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1,对待加工的基板材料表面进行化学清洗;步骤2,利用射频等离子体对基板材料表面进行清洗;步骤3,利用真空磁控溅射沉积技术在基板表面沉积一层钛薄膜层;步骤4,对镀好的钛薄膜层在真空管式高温烧结炉中进行热处理,完成具有自清洁疏水特性的二氧化钛纳米棒阵列薄膜的制备。
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