[发明专利]等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件有效
| 申请号： | 201810505007.7 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108766882B | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 陈国动;姚立明 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本公开提供一种等离子体硅刻蚀方法以及半导体器件。其中等离子体刻蚀方法包括以电感耦合的方式激励工艺气体产生等离子体，在脉冲波射频电源的作用下所述等离子体对所述硅基体进行刻蚀，其中，所述工艺气体包括CHF |
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| 搜索关键词： | 等离子体 刻蚀 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体硅刻蚀方法，包括：以电感耦合的方式激励工艺气体产生等离子体；在脉冲波射频电源的作用下所述等离子体对所述硅基体进行刻蚀，其中，所述工艺气体包括CHF3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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