[发明专利]一种发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201810501562.2 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108550675B | 公开（公告）日： | 2019-11-12 |
| 发明（设计）人： | 魏柏林;魏晓骏;郭炳磊;林凡 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/24 | 分类号： | H01L33/24;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，缓冲层，电子阻挡层包括依次层叠的多个复合结构，每个复合结构包括依次层叠的第一子层和第二子层，第一子层的材料采用氮化硼铝，第二子层的材料采用氮化铟镓。本发明氮化硼铝提高电子阻挡层的能级，升高导带的能级，同时降低价带的能级，增大导带和价带之间的禁带宽度，增强对电子的阻挡效果，同时增加空穴的注入，从而在有效阻挡电子跃迁到P型半导体层的情况下，有利于空穴注入有源层，增加注入有源层的空穴数量，提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 子层 空穴 能级 电子阻挡层 依次层叠 源层 发光二极管外延 复合结构 氮化硼 缓冲层 衬底 导带 价带 制备 半导体技术领域 阻挡 氮化铟镓 电子跃迁 发光效率 外延片 禁带 升高 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述缓冲层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子阻挡层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的第一子层和第二子层，所述第一子层的材料采用氮化硼铝，所述第二子层的材料采用氮化铟镓；所述电子阻挡层的厚度为10nm～15nm。
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