[发明专利]气敏元件敏感材料及其制备方法在审
申请号: | 201810498418.8 | 申请日: | 2018-05-22 |
公开(公告)号: | CN108956709A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 林勇;罗彪;张天宇 | 申请(专利权)人: | 广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 晏波 |
地址: | 528311 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种气敏元件敏感材料及其制备方法。其中,所述气敏元件敏感材料含有如下组分:Zr‑SnO2 86~96wt%,Sb2O3 1~6wt%,SiO2 0.5~3.5wt%,CaF2 0.2~2.5wt%,PdCl2 1~4wt%。本发明技术方案通过敏感配方设计合理,所制备的气敏浆料均匀,并通过对SnO2进行微量掺杂Zr元素,有效抑制SnO2晶粒生长,并有效避免直接引入ZrO2而导致不良分散的问题,再通过合理控制CaF2、Sb2O3、SiO2和少量PdCl2等配比,显著改善敏感膜稳定性和提高敏感膜的气敏反应活性;同时,合理控制各配方组分的尺寸粒径,改善气敏元件灵敏度和长期工作稳定性。 | ||
搜索关键词: | 敏感材料 制备 气敏元件 敏感膜 长期工作稳定性 气敏元件灵敏度 反应活性 晶粒生长 配方设计 微量掺杂 有效抑制 浆料 粒径 配比 配方 敏感 引入 | ||
【主权项】:
1.一种气敏元件敏感材料,其特征在于,所述气敏元件敏感材料含有如下组分:Zr‑SnO2 86~96wt%,Sb2O3 1~6wt%,SiO2 0.5~3.5wt%,CaF2 0.2~2.5%wt%,PdCl2 1~4wt%。
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