[发明专利]平面型光敏器件及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201810472612.9 申请日: 2018-05-16
公开(公告)号: CN108447877A 公开(公告)日: 2018-08-24
发明(设计)人: 曾巧玉;龚政;陈志涛;刘晓燕;曾昭烩;潘章旭;刘久澄;任远;王巧;李叶林 申请(专利权)人: 广东省半导体产业技术研究院
主分类号: H01L27/144 分类号: H01L27/144;H01L27/146;H01L27/148
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 梁香美
地址: 510000 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种平面型光敏器件及其制作方法,涉及光电技术领域。平面型光敏器件包括光学耦合器和APD,APD包括本征型衬底层以及间隔设置的N型掺杂层、P型掺杂层和P型电荷控制层,衬底上设置钝化层以及吸收层,吸收层靠近本征型衬底层的一侧分别与P型掺杂层和P型电荷控制层接触、背离本征型衬底层的一侧露出于钝化层表面;光学耦合器与吸收层之间包括有相互接触的投影重叠区域。将光学耦合器的光入射面与APD在水平方向上分离,从而可以在保证整个器件的光量子效率基本不变的条件下,大幅的降低APD的尺寸,减小吸收层的厚度,提升整个平面型光敏器件的工作速率与带宽,降低器件的暗电流与功耗,提升器件的灵敏度。
搜索关键词: 光敏器件 平面型 吸收层 光学耦合器 本征型 衬底层 电荷控制层 光电技术领域 投影重叠区域 钝化层表面 光量子效率 光入射面 间隔设置 降低器件 提升器件 灵敏度 暗电流 钝化层 衬底 功耗 减小 制作 带宽 背离 保证
【主权项】:
1.一种平面型光敏器件,其特征在于,包括光学耦合器和雪崩光电二极管,所述雪崩光电二极管包括本征型衬底层以及间隔设置在所述本征型衬底层上的N型掺杂层、P型掺杂层和P型电荷控制层,在设置有所述N型掺杂层、所述P型掺杂层和所述P型电荷控制层的所述本征型衬底层上设置钝化层以及吸收层,所述吸收层靠近所述本征型衬底层的一侧分别与所述P型掺杂层和所述P型电荷控制层接触、背离所述本征型衬底层的一侧露出于所述钝化层表面;所述光学耦合器与所述吸收层之间包括有相互接触的投影重叠区域。
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