[发明专利]一种晶圆清洗方法在审
| 申请号： | 201810464148.9 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108666205A | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 邱伟良 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗方法，应用于表面形成有金属互联层以及光阻层的一晶圆；包括：步骤S1，采用一第一清洗液清洗晶圆的表面；步骤S2，采用一光阻剥离液去除晶圆上的光阻层；步骤S3，采用一第二清洗液清洗晶圆的表面；步骤S4，采用一干燥工艺将晶圆的表面干燥；其中，步骤S2中，光阻剥离液为ST250；能够保证去除晶圆表面的光阻层的同时不会产生杂质元素的残留，从而保证了后段制程的可靠，保证了晶圆产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗 光阻层 光阻剥离液 清洗液 种晶 去除 半导体技术领域 金属互联层 表面干燥 表面形成 干燥工艺 后段制程 晶圆表面 晶圆产品 杂质元素 保证 良率 残留 应用 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆清洗方法，应用于表面形成有金属互联层以及光阻层的一晶圆；其特征在于，包括：步骤S1，采用一第一清洗液清洗所述晶圆的表面；步骤S2，采用一光阻剥离液去除所述晶圆上的所述光阻层；步骤S3，采用一第二清洗液清洗所述晶圆的表面；步骤S4，采用一干燥工艺将所述晶圆的表面干燥；其中，所述步骤S2中，所述光阻剥离液为ST250。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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