[发明专利]用于限定垂直晶体管器件中的沟道区的方法有效
| 申请号： | 201810460928.6 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN108878530B | 公开（公告）日： | 2023-07-21 |
| 发明（设计）人： | J·雷恰特;堀口直人;D·莫库塔;T·胡耶恩鲍 | 申请（专利权）人： | IMEC非营利协会;布鲁塞尔自由大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 亓云;杨洁 |
| 地址： | 比利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示了一种用于限定垂直晶体管器件中的沟道区的方法。该方法包括在衬底上提供由第一层(501)、第二层(502)和第三层(503)的堆叠形成的鳍(504、505、506)，其中第二层被置于第一层以上，并且第三层被置于第二层以上，选择性地在该鳍的第一和第三层的侧壁上形成电介质(507)，以及形成用于接触第二层的侧壁的栅极接触层(509)。第一和第三层分别限定垂直晶体管器件的源极和漏极区，第二层限定垂直晶体管器件的沟道区，并且第一和第三层的侧壁上的电介质将源极和漏极区与栅极接触层电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 限定 垂直 晶体管 器件 中的 沟道 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于限定垂直晶体管器件中的沟道区的方法，所述方法包括：在衬底上提供由第一层(501)、第二层(502)和第三层(503)的堆叠形成的鳍(504、505、506)，其中所述第二层位于第一层以上并且所述第三层位于所述第二层以上；选择性地在所述鳍的所述第一层和所述第三层的侧壁上形成电介质(507)；以及形成用于接触所述第二层的侧壁的栅极接触层(509)；其中：所述第一层和所述第三层分别限定所述垂直晶体管器件的源极和漏极区；所述第二层限定所述垂直晶体管器件的沟道区；以及所述第一层和所述第三层的所述侧壁上的所述电介质将所述源极和漏极区与所述栅极接触层电隔离。
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