[发明专利]一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器的制备方法有效
申请号: | 201810456504.2 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN108630782B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 王莉;李晶晶;何淑娟;李振;罗和昊;范琦;徐星;于永强;吴春艳;谢超;罗林保;胡继刚;宣晓峰;黄正峰 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 34101 | 代理人: | 卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器及其制备方法,其是采用电子束及退火技术在n‑型硅片的上表面制备双层金纳米颗粒,两层金纳米颗粒之间利用单层石墨烯进行分隔。本发明的双重等离子光电探测器,采用双层金纳米颗粒产生强的双重等离子体共振效应,同时在平面硅肖特基光电探测器中引入金纳米颗粒/石墨烯/金纳米颗粒混合电极,混合电极的特殊结构保证了热电子的有效传输,通过双重等离子体共振电极,拓宽探测器的光电探测波长范围,最终的有效探测波长范围为360‑1330nm,其可在紫外‑可见‑近红外工作。 | ||
搜索关键词: | 一种 探测 波段 双重 等离子 工作 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种宽探测波段双重等离子工作光电探测器,其特征在于:所述宽探测波段双重等离子光电探测器是以n‑型硅片为衬底(1);在所述衬底(1)的上表面形成有第一层金纳米颗粒层(2),在所述第一层金纳米颗粒层(2)上转移有一层石墨烯层(3),在所述石墨烯层(3)上形成有第二层金纳米颗粒层(4),使得两层金纳米颗粒层之间通过石墨烯层隔开;在所述第二层金纳米颗粒层(4)上设置有顶电极(5);在所述衬底(1)的下表面设置有底电极(6)。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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