[发明专利]静电卡盘表面形貌的制备方法有效
申请号: | 201810447179.3 | 申请日: | 2018-05-11 |
公开(公告)号: | CN108711558B | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 杨鹏远;侯占杰;王建冲;唐娜娜;韩玮琦;张玉利;黎远成;荣吉平;姜鑫;李金亮 | 申请(专利权)人: | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京头头知识产权代理有限公司 11729 | 代理人: | 刘锋 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种静电卡盘表面形貌的制备方法,属于静电卡盘领域。所述静电卡盘表面形貌的制备方法包括:步骤1:在静电卡盘的介电层表面涂覆或者贴合保护膜,所述保护膜包括曝光区域和不曝光区域;步骤2:对所述不曝光区域贴合光刻掩膜板,对所述曝光区域进行曝光、显影和清洗;步骤3:对清洗后的曝光区域进行凸点沉积;步骤4:对凸点沉积后的介电层的不曝光区域进行清洗。本发明不仅可以根据不同需求,制备出与介电层材料不同的一层或者多层凸点涂层,满足静电卡盘多方面性能需求,而且该方法工艺简单,易操作,效率高,制备过程更加环保。 | ||
搜索关键词: | 静电 卡盘 表面 形貌 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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