[发明专利]应用于有机场效应晶体管的基于吡啶取代吡咯并吡咯二酮的电子传输型聚合物半导体材料在审
| 申请号： | 201810444784.5 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108690183A | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 耿延候;郭恺;邓云峰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/30;C07D487/04;C07D333/28;C07F7/08;C07F7/22 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 曹玉平 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明提供一类应用于有机场效应晶体管的基于吡啶取代吡咯并吡咯二酮的电子传输型聚合物半导体材料；结构式如(I)；选取吸电子能力强、平面性好的吡啶取代吡咯并吡咯二酮为第一聚合单体，四氟代联噻吩和四氟代二噻吩乙烯为第二聚合单体。在噻吩单元上引入多个氟原子，能够同时降低聚合物的最高被占据轨道(HOMO)能级和最低未被占据轨道(LUMO)能级，使聚合物表现n型传输特性。并且借助于F‑S和F‑H的弱相互作用，提高聚合物链间相互作用，从而保证该聚合物半导体材料的有机场效应晶体管具有高的电子迁移率，最高达到2.45cm2/V·s； |
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| 搜索关键词： | 聚合物半导体材料 有机场效应晶体管 取代吡咯 二酮 吡咯 能级 电子传输型 聚合单体 聚合物 四氟 电子迁移率 二噻吩乙烯 吸电子能力 传输特性 聚合物链 噻吩单元 占据 氟原子 平面性 轨道 应用 引入 表现 保证 | ||
【主权项】：
1.一类应用于有机场效应晶体管的基于吡啶取代吡咯并吡咯二酮的电子传输型聚合物半导体材料：![]()
其中Ar结构为下列中的一种：![]()
式中：R1和R2相同或不相同，为烷基、氟代烷基、硅烷基、硅氧烷基、酯烷基或寡聚醚链；n为聚合度，为自然数5‑100。
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