[发明专利]半导体硅表面大面积规则分布纳米孔阵列结构制备方法在审
| 申请号： | 201810440548.6 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108620728A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张成云 | 申请（专利权）人： | 广州大学 |
| 主分类号： | B23K26/00 | 分类号： | B23K26/00;H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;宋静娜 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体硅表面大面积规则分布纳米孔阵列结构制备方法，包括：处理硅样品并将其放在三维微位移平台上；飞秒脉冲激光放大级输出飞秒脉冲激光，飞秒脉冲激光依次经过半波片、格兰棱镜、光阑、快门和聚焦物镜后照射在硅样品表面，同时PC机控制所述三维微位移平台在XYZ三个方向上移动，实现样品表面的飞秒脉冲激光直写；利用扫描电子显微镜分析表征经过飞秒脉冲激光直写加工后的硅样品表面微纳结构形貌。该方法基于飞秒脉冲激光微纳加工平台，结合激光直写技术，通过控制飞秒脉冲激光能量密度、激光偏振、激光扫描速度和扫描间距，实现对半导体硅材料表面纳米结构的诱导，方便快速在硅表面诱导出大面积规则分布的纳米孔阵列结构。 | ||
| 搜索关键词： | 飞秒脉冲激光 纳米孔阵列结构 规则分布 硅样品 半导体硅表面 微位移平台 直写 制备 三维 诱导 扫描电子显微镜分析 半导体硅材料 表面纳米结构 形貌 格兰棱镜 激光偏振 激光扫描 激光直写 聚焦物镜 微纳加工 微纳结构 样品表面 半波片 放大级 硅表面 上移动 光阑 快门 照射 扫描 输出 加工 | ||
【主权项】：
1.半导体硅表面大面积规则分布纳米孔阵列结构制备方法，其特征在于，包括飞秒激光系统、三维微位移平台、光路系统和PC机，所述光路系统包括半波片、格兰棱镜、光阑、快门和聚焦物镜，所述飞秒激光系统输出的飞秒脉冲激光依次通过间隔放置的半波片、格兰棱镜、光阑、快门和聚焦物镜，硅样品放置在所述三维微位移平台上，飞秒脉冲激光经过所述聚焦物镜聚焦在硅样品上，所述三维微位移平台和快门通过所述PC机控制；所述制备方法包括以下步骤：步骤一、将硅样品用丙酮和去离子水超声处理，再用氮气吹干；步骤二、将硅样品放置在所述三维微位移平台上；步骤三、所述飞秒脉冲激光放大级输出飞秒脉冲激光，飞秒脉冲激光依次经过所述半波片、格兰棱镜、光阑、快门和聚焦物镜后照射在硅样品表面，同时所述PC机控制所述三维微位移平台在XYZ三个方向上移动，实现样品表面的飞秒脉冲激光直写，诱导出覆盖有大面积规则分布的纳米孔阵列结构；步骤四：利用扫描电子显微镜分析表征经过飞秒脉冲激光直写加工后的硅样品表面微纳结构形貌。
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