[发明专利]TFT阵列基板的制作方法在审
| 申请号： | 201810439207.7 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN108598041A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 罗传宝 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂;鞠骁 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法。该方法在对氧化物半导体图案上方的金属材料层进行刻蚀而制得源极及漏极之后，利用络合反应溶液对氧化物半导体图案表面进行处理，使络合反应溶液与因刻蚀金属材料层而在氧化物半导体图案表面产生的金属离子发生络合反应，从而避免因刻蚀金属材料层而产生的金属离子与氧化物半导体图案内的氧原子结合使氧化物半导体图案内的氧空位缺陷，从而保证了氧化物半导体图案的迁移率，使制得的TFT阵列基板的TFT器件的电性稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物半导体图案 金属材料层 络合反应 刻蚀 金属离子 氧空位缺陷 迁移率 氧原子 电性 漏极 源极 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：提供衬底基板(10)；在所述衬底基板(10)上形成栅极(20)；在所述衬底基板(10)及栅极(20)上形成栅极绝缘层(30)；在所述栅极绝缘层(30)上于栅极(20)上方形成氧化物半导体图案(40)；在栅极绝缘层(30)及氧化物半导体图案(40)上形成金属材料层(50)，对所述金属材料层(50)进行刻蚀，形成分别与氧化物半导体图案(40)两端连接的源极(51)及漏极(52)；提供络合反应溶液，利用络合反应溶液对氧化物半导体图案(40)表面进行处理，使络合反应溶液与因刻蚀金属材料层(50)而在氧化物半导体图案(40)表面产生的金属离子发生络合反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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