[发明专利]TFT阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法。该方法在对氧化物半导体图案上方的金属材料层进行刻蚀而制得源极及漏极之后，利用络合反应溶液对氧化物半导体图案表面进行处理，使络合反应溶液与因刻蚀金属材料层而在氧化物半导体图案表面产生的金属离子发生络合反应，从而避免因刻蚀金属材料层而产生的金属离子与氧化物半导体图案内的氧原子结合使氧化物半导体图案内的氧空位缺陷，从而保证了氧化物半导体图案的迁移率，使制得的TFT阵列基板的TFT器件的电性稳定。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT阵列基板的制作方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)与有机发光二极管显示屏(Organic Light Emitting Diode，OLED)等平板显示装置已经逐步取代阴极射线管(Cathode Ray Tube，CRT)显示屏。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)是目前的液晶显示装置和有源矩阵型OLED显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。薄膜晶体管具有多种结构，非晶硅(a-Si)材料是其中常见的一种。

随着液晶显示装置和OLED显示装置向着大尺寸和高分辨率的方向发展，传统的非晶硅仅有1cm²/(Vs)左右的迁移率已经无法满足要求，以铟镓锌氧化物(IGZO)为代表的金属氧化物材料具备超过10cm²/(Vs)以上的迁移率，而且相应的薄膜晶体管的制备与现有的非晶硅为半导体驱动的产线的兼容性较好，近年来迅速成为显示领域研发的重点。

采用氧化物半导体的TFT阵列基板的典型结构有刻蚀阻挡(ESL)结构、背沟道(BCE)结构、顶栅极(Top Gate)结构等。背沟道结构的TFT阵列基板具有在制作时所需要的光罩(mask)数量少以及TFT器件的面积小的优点，但是其氧化物半导体层容易受到损伤而影响TFT器件的性能。请参阅图1，为现有的一种采用背沟道结构的氧化物半导体TFT阵列基板的结构示意图，包括衬底100、设于衬底上的栅极200、设于衬底100上且覆盖栅极200的栅极绝缘层300、设于栅极绝缘层300上且位于栅极200上方的氧化物半导体图案400及设于栅极绝缘层300上且分别与氧化物半导体图案400的两端连接的源极510及漏极520。该TFT阵列基板的源极510漏极520的制作方法是在栅极绝缘层300及氧化物半导体图案400上整面沉积材料为铜(Cu)的金属层，接着对金属层进行刻蚀而去除金属层位于氧化物半导体图案400的中间上方的部分而形成源极510及漏极520，这导致在刻蚀金属层的过程中，刻蚀液与金属层反应产生铜离子(Cu²⁺)，这些铜离子会吸附在氧化物半导体图案400上与氧化物半导体图案400内的氧原子结合，造成氧化物半导体图案400内的氧空穴增加，而氧空位缺陷，而氧化物半导体TFT器件的电性与稳定性很大程度上依赖于氧化物半导体图案400中的氧空位，且对氧空位异常敏感，因而现有的背沟道结构的氧化物半导体TFT阵列基板中的TFT器件的电性及稳定性会受到影响，影响产品的品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板的制作方法，能够保证制得的TFT阵列基板的氧化物半导体图案的迁移率，使TFT阵列基板的TFT器件的电性稳定，提升产品品质。

为实现上述目的，本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法，包括：

提供衬底基板；在所述衬底基板上形成栅极；在所述衬底基板及栅极上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上于栅极上方形成氧化物半导体图案；

在栅极绝缘层及氧化物半导体图案上形成金属材料层，对所述金属材料层进行刻蚀，形成分别与氧化物半导体图案两端连接的源极及漏极；

提供络合反应溶液，利用络合反应溶液对氧化物半导体图案表面进行处理，使络合反应溶液与因刻蚀金属材料层而在氧化物半导体图案表面产生的金属离子发生络合反应。