[发明专利]一种MOS器件的制作方法及器件有效
| 申请号： | 201810433594.3 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108807183B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 祝杰杰;马咪;马晓华;侯斌;杨凌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供一种MOS器件的制作方法及器件。所述方法包括：制备半导体材料层；在所述半导体材料层上的电极区域制作下电极；在所述半导体材料层上的非电极区域制作阻挡介质层；对所述阻挡层进行氧化处理，使得氧化气氛扩散到所述半导体材料层；在所述阻挡层上生长介质层；在所述介质层上制备上电极。本发明可以减少介质层与半导体之间的界面电荷，改善MOS器件的界面特性和可靠性，提高器件工作稳定性和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOS器件的制作方法，其特征在于，包括：制备半导体材料层；在所述半导体材料层上的电极区域制作下电极；在所述半导体材料层上的非电极区域制作阻挡层；对所述阻挡层进行氧化处理，使得氧化气氛扩散到所述半导体材料层；在所述阻挡层上生长介质层；在所述介质层上制备上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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