[发明专利]一种半导体的加工方法在审
| 申请号： | 201810431907.1 | 申请日： | 2018-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN108550534A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 翁国权 | 申请（专利权）人： | 广西桂芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 530007 广西壮族自治*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体的加工方法，包括以下步骤：（1）晶圆处理制程，先将晶圆适当清洗，再进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入和金属溅镀，最后完成数层电路及元件加工与制作；（2）晶圆针测制程，用针测仪对晶圆的每个晶粒检测其电气特性；（3）构装，将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的引接线端与基座底部伸出的插脚连接，封胶，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死；（4）测试制程，将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性，包括消耗功率、运行速度和耐压度，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 电气特性 制程 蚀刻 晶粒 测试 针测 半导体 芯片 化学气相沉积 测试装置 晶粒检测 模拟环境 塑胶盖板 消耗功率 芯片基座 元件加工 胶水 耐压度 陶瓷制 引接线 插脚 封胶 封死 溅镀 涂膜 显影 植入 封装 加工 离子 塑胶 电路 清洗 伸出 金属 曝光 申请 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体的加工方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）晶圆处理制程，先将晶圆适当清洗，再在其表面进行氧化及化学气相沉积，然后进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入和金属溅镀，最后在晶圆上完成数层电路及元件加工与制作；（2）晶圆针测制程，用针测仪对晶圆的每个晶粒检测其电气特性，并将不合格的晶粒标上记号后，将晶圆切开，分割成一颗颗单独的晶粒，再按其电气特性分类，装入不同的托盘中，不合格的晶粒则舍弃；（3）构装，将单个的晶粒固定在塑胶或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的引接线端与基座底部伸出的插脚连接，以作为与外界电路板连接之用，封胶，最后盖上塑胶盖板，用胶水封死；（4）测试制程，将封装后的芯片置于测试装置的模拟环境下测试其电气特性，包括消耗功率、运行速度和耐压度，经测试后的芯片，依其电气特性划分为不同等级。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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