[发明专利]半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法有效

专利信息
申请号: 201810430430.5 申请日: 2013-03-01
公开(公告)号: CN108666214B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 尹胜煜;J.A.卡帕拉斯;林耀剑;P.C.马里穆图 申请(专利权)人: 长电集成电路(绍兴)有限公司
主分类号: H01L21/311 分类号: H01L21/311;H01L21/56;H01L21/768;H01L23/538;H01L23/31;H01L23/498;H01L25/10
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 陈岚
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 本申请涉及半导体器件以及用于形成低廓形嵌入式晶圆级球栅阵列模塑激光封装的方法。一种半导体器件,具有半导体管芯,其具有沉积在半导体管芯之上和周围的密封剂。在密封剂的第一表面之上形成互连结构。形成从密封剂的第二表面到密封剂的第一表面的开口以暴露互连结构的表面。凸块形成为在开口内凹进并被设置在互连结构的表面之上。提供一种半导体封装。半导体封装被设置在密封剂的第二表面之上并且被电连接到凸块。在半导体封装之上形成多个互连结构以将半导体封装电连接到凸块。半导体封装包括存储器件。半导体器件包括小于1毫米的高度。开口包括通过激光直接烧蚀形成的锥形侧壁。
搜索关键词: 半导体器件 以及 用于 形成 低廓形 嵌入式 晶圆级球栅 阵列 激光 封装 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括:提供半导体管芯;在所述半导体管芯周围沉积密封剂;在所述密封剂上形成互连结构,并与所述半导体管芯的有源表面接触;形成穿过所述密封剂延伸至所述互连结构的开口;以及在所述开口内形成凸块,并连接到所述互连结构。
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