[发明专利]具有适应电压的参考电压发生器及集成电路芯片有效
| 申请号： | 201810427007.X | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN109308089B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 魏廉升 | 申请（专利权）人： | 原睿科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈潇潇;肖冰滨 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种用于提供适应电压的参考电压发生器，该参考电压发生器包含稳定电流源及串接的P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管。所述参考电压发生器所提供的参考电压由所述P型金属氧化物半导体晶体管与N型金属氧化物半导体晶体管的栅源极电压决定。由于所述栅源极电压会随着温度及制程改变，所述参考电压可形成自适应电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 适应 电压 参考 发生器 集成电路 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种参考电压发生器，该参考电压发生器包含：稳定电流源，该稳定电流源用于提供稳定电流；P型金属氧化物半导体晶体管，该P型金属氧化物半导体晶体管的源极用于接收所述稳定电流，所述P型金属氧化物半导体晶体管并具有第一栅源极电压；以及N型金属氧化物半导体晶体管，该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极电性耦接所述P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，所述N型金属氧化物半导体晶体管并具有第二栅源极电压，其中，所述参考电压发生器所提供的参考电压由所述第一栅源极电压及所述第二栅源极电压所决定。
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