[发明专利]具有适应电压的参考电压发生器及集成电路芯片

权利要求书

1.一种参考电压发生器，该参考电压发生器包含：

稳定电流源，该稳定电流源用于提供稳定电流；

P型金属氧化物半导体晶体管，该P型金属氧化物半导体晶体管的源极用于接收所述稳定电流，所述P型金属氧化物半导体晶体管并具有第一栅源极电压；以及

N型金属氧化物半导体晶体管，该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极电性耦接所述P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，所述N型金属氧化物半导体晶体管并具有第二栅源极电压，

其中，所述参考电压发生器所提供的参考电压由所述第一栅源极电压及所述第二栅源极电压所决定，

所述N型金属氧化物半导体晶体管的所述漏极与所述P型金属氧化物半导体晶体管的所述漏极之间还连接包含多个彼此串接的其他的N型金属氧化物半导体晶体管与其他的P型金属氧化物半导体晶体管的晶体管群，该晶体管群通过开关组件来串接不同数目的金属氧化物半导体晶体管。

2.根据权利要求1所述的参考电压发生器，其中所述稳定电流源提供的所述稳定电流可调整。

3.一种参考电压发生器，该参考电压发生器包含：

P型金属氧化物半导体晶体管，该P型金属氧化物半导体晶体管具有第一栅源极电压；

N型金属氧化物半导体晶体管，该N型金属氧化物半导体晶体管的漏极电性耦接所述P型金属氧化物半导体晶体管的漏极，所述N型金属氧化物半导体晶体管并具有第二栅源极电压；以及

稳定电流源，该稳定电流源用于提供稳定电流从所述N型金属氧化物半导体晶体管的源极流出，

其中，所述参考电压发生器所提供的参考电压由所述第一栅源极电压及所述第二栅源极电压所决定，

所述N型金属氧化物半导体晶体管的所述漏极与所述P型金属氧化物半导体晶体管的所述漏极之间还连接包含多个彼此串接的其他的N型金属氧化物半导体晶体管与其他的P型金属氧化物半导体晶体管的晶体管群，该晶体管群通过开关组件来串接不同数目的金属氧化物半导体晶体管。

4.根据权利要求3所述的参考电压发生器，其中所述稳定电流源提供的所述稳定电流可调整。

5.一种集成电路芯片，该集成电路芯片包含：

参考电压发生器，该参考电压发生器包含彼此串接的稳定电流源、至少一个P型金属氧化物半导体晶体管及至少一个N型金属氧化物半导体晶体管，其中，所述至少一个P型金属氧化物半导体晶体管具有第一栅源极电压，所述至少一个N型金属氧化物半导体晶体管具有第二栅源极电压，所述参考电压发生器用于提供由所述第一栅源极电压及所述第二栅源极电压决定的参考电压；

稳压器，该稳压器包含运算放大器，该运算放大器的非反向输入端用于接收所述参考电压并于所述运算放大器的输出端产生调节电压；以及

高频电路，该高频电路以所述调节电压作为电源电压，其中当所述高频电路在FFcorner和高温的极端条件下，所述调节电压自适应降低以使所述高频电路恢复正常运作；当所述高频电路在SS corner和低温的极端条件下，所述调节电压自适应增加以使所述高频电路恢复正常运作。

6.根据权利要求5所述的集成电路芯片，其中所述稳定电流源用于提供从所述至少一个P型金属氧化物半导体晶体管的源极流入的稳定电流。

7.根据权利要求5所述的集成电路芯片，其中所述稳定电流源用于提供从所述至少一个N型金属氧化物半导体晶体管的源极流出的稳定电流。

8.根据权利要求6或7所述的集成电路芯片，其中所述稳定电流源提供的所述稳定电流可调整。

9.根据权利要求5所述的集成电路芯片，其中所述参考电压发生器包含串接的所述稳定电流源、多个P型金属氧化物半导体晶体管及多个N型金属氧化物半导体晶体管，且被连接的所述多个P型金属氧化物半导体晶体管及所述多个N型金属氧化物半导体晶体管的数目可调整。

10.根据权利要求5所述的集成电路芯片，其中所述高频电路为除频器。