[发明专利]一种促进水稻根系生长的育苗方法在审

专利信息
申请号: 201810414732.3 申请日: 2018-05-03
公开(公告)号: CN108617443A 公开(公告)日: 2018-10-09
发明(设计)人: 周庆平;周泽红 申请(专利权)人: 枞阳县横埠庆平家庭农场
主分类号: A01G22/22 分类号: A01G22/22;A01G24/46;A01G24/22;A01G24/10;A01G24/00;A01G24/25;A01G24/15;A01G24/13;A01G24/20
代理公司: 合肥广源知识产权代理事务所(普通合伙) 34129 代理人: 徐国法
地址: 246700 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明属于水稻育苗技术领域,具体涉及一种促进水稻根系生长的育苗方法,包括育苗基质准备以及育苗过程中管理。本发明相比现有技术具有以下优点:本发明中通过设置底层基质,在出苗率达到10%时加热,碳酸氢钙受热分解,气体向上穿过基质,使幼苗根部受到一定的刺激,配合中间层基质和表面基质的合理配制,使秧苗能克服不良环境,秧苗根系生长均匀,长度增加,达到机插秧的要求,出苗整齐,容易起苗,成活率大大提高。
搜索关键词: 水稻根系 基质 生长 育苗 表面基质 不良环境 长度增加 底层基质 水稻育苗 碳酸氢钙 秧苗根系 幼苗根部 育苗过程 育苗基质 受热 出苗率 机插秧 中间层 出苗 起苗 秧苗 成活率 加热 配制 整齐 穿过 分解 刺激 配合 管理
【主权项】:
1.一种促进水稻根系生长的育苗方法,其特征在于,在育苗钵中育苗,包括以下内容:(1)育苗基质准备:育苗基质包括3层,底层基质、中间层基质和表面基质;所述底层基质包括以下重量份的原料20‑25份玉米芯粉、1‑4份碳酸氢钙、12‑18份质量浓度为6‑8%的醋酸溶液;所述中间层基质包括以下重量份的原料:发酵秸秆12‑18份、炭化谷糠4‑6份、蛭石1‑3份、沸石粉1‑3份、醋渣1.2‑1.8份、复合肥0.8‑2份;所述表面基质包括以下重量份的原料:酸化土16‑20份、草木灰4‑8份、荷塘泥3‑6份;所述底层基质的厚度为8‑12mm,中间层基质的厚度为30‑40mm,表面基质的厚度为4‑6mm;(2)所述育苗盘的底层基质内埋设加热片,在出苗率达到10%的时候,加热片通电使其温度达到58‑62℃,保持10‑20分钟;(3)当70%的水稻苗长至15cm及以上时,即可进行移栽。
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