[发明专利]超薄氧化铝介质层金刚石场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201810398935.8 | 申请日： | 2018-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN108711549A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | 王宏兴;王艳丰;王玮;常晓慧;张景文;卜忍安;侯洵 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/336;H01L29/16;H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 陕西增瑞律师事务所 61219 | 代理人： | 刘春 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄氧化铝介质层金刚石场效应晶体管的制备方法，去除金刚石衬底表面非金刚石相后，再对金刚石衬底进行氢化处理；在氢化后的金刚石衬底表面形成源极和漏极；然后在源极和漏极之间形成超薄氧化铝介质层；最后在超薄氧化铝介质层上形成栅极。解决了现有场效应晶体管的制备成本高，制备工艺复杂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 氧化铝介质 场效应晶体管 制备 衬底表面 漏极 源极 非金刚石 氢化处理 制备工艺 衬底 氢化 去除 | ||
【主权项】：
1.超薄氧化铝介质层金刚石场效应晶体管的制备方法，其特征在于，去除金刚石衬底(1)表面非金刚石相后，再对金刚石衬底(1)进行氢化处理；在氢化后的金刚石衬底(1)表面形成源极(2)和漏极(5)；然后在源极(2)和漏极(5)之间形成超薄氧化铝介质层(3)；最后在超薄氧化铝介质层(3)上形成栅极(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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