[发明专利]TFT阵列基板有效
申请号: | 201810394065.7 | 申请日: | 2018-04-27 |
公开(公告)号: | CN108550580B | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 廖作敏;李彦阳 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/552 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂;鞠骁 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种TFT阵列基板。该TFT阵列基板设置第三导电层通过第一过孔及第二过孔分别连接第一导电层及第二导电层,并在第三导电层上设置间隔的第一开口与第二开口,第一开口在竖直方向的投影位于第二过孔底部边缘的一侧且一端突出第二过孔底部边缘靠近第一过孔的一端,第二开口在竖直方向的投影位于第一过孔底部边缘的一侧且一端突出第一过孔底部边缘靠近第二过孔的一端,从而在第三导电层因静电击穿而在对应第一过孔与第二过孔互相靠近的边缘产生断裂时,第一开口及第二开口能够对断裂进行阻隔,防止断裂导致第一导电层与第二导电层断开,保证第一导电层与第二导电层连接的可靠性,提升产品的品质。 | ||
搜索关键词: | 开口 底部边缘 第二导电层 第一导电层 断裂 导电层 竖直 投影 导电层因 静电击穿 断开 阻隔 保证 | ||
【主权项】:
1.一种TFT阵列基板,其特征在于,包括第一导电层(100)、设于第一导电层(100)上的第一绝缘层(200)、设于第一绝缘层(200)上的第二导电层(300)、设于第二导电层(300)及第一绝缘层(200)上的第二绝缘层(400)以及设于第二绝缘层(400)上的第三导电层(500);所述第二绝缘层(400)上设有位于第二导电层(300)上方的第一过孔(410)及位于第一导电层(100)上方的第二过孔(420),所述第一绝缘层(200)上设有位于第一导电层(100)上方的第三过孔(210),第二过孔(420)位于第三过孔(210)内;第三导电层(500)经第一过孔(410)及第二过孔(420)分别与第二导电层(300)及第一导电层(100)连接;所述第三导电层(500)上设有间隔的第一开口(510)与第二开口(520),所述第一开口(510)在竖直方向的投影位于第二过孔(420)底部边缘的一侧且一端突出第二过孔(420)底部边缘靠近第一过孔(410)的一端;所述第二开口(520)在竖直方向的投影位于第一过孔(410)底部边缘的一侧且一端突出第一过孔(410)底部边缘靠近第二过孔(420)的一端;所述第一开口(510)及第二开口(520)在竖直方向的投影分别位于由第一过孔(410)及第二过孔(420)组成的过孔列的两侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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