[发明专利]集成有增强型和耗尽型VDMOS的器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810387810.5 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN108550623A | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 魏国栋;康剑;张曌;田甜 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 吴平 |
| 地址： | 518172 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种集成有增强型和耗尽型VDMOS的器件及其制造方法，所述器件的增强型VDMOS区域设置有多条沿Y轴延伸的多晶硅栅，隔离结构包括隔离P阱和隔离多晶硅，隔离P阱环绕耗尽型VDMOS区域设置，隔离多晶硅沿X轴延伸且两侧分别延伸至一条多晶硅栅，隔离多晶硅设置于隔离结构与增强型VDMOS区的交界处；增强型VDMOS区域设置有增强管P阱，增强管P阱与隔离P阱间隔。耗尽管P阱与隔离P阱在Y轴方向相连。本发明的隔离多晶硅作为P+注入的注入阻挡层，避免P+注入的离子将增强管P阱与隔离P阱连成一体，从而造成增强管与耗尽管之间的相互干扰而不能达到真正隔离的目的。通过设置耗尽管P阱与隔离P阱在Y轴方向连为一体，有利于减缓或避免击穿电压的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离P阱 增强型 多晶硅 增强管 隔离 区域设置 耗尽型 多晶硅栅 隔离结构 延伸 注入阻挡层 击穿电压 连成一体 交界处 离子 制造 环绕 | ||
【主权项】：
1.一种集成有增强型和耗尽型VDMOS的器件，包括增强型VDMOS区域、位于所述增强型VDMOS区域内的耗尽型VDMOS区域、以及将所述增强型VDMOS区域与耗尽型VDMOS区域隔离的隔离结构，其特征在于，所述增强型VDMOS区域设置有多条沿第一方向延伸的第一多晶硅栅，所述隔离结构包括隔离P阱和第一隔离多晶硅，所述隔离P阱环绕所述耗尽型VDMOS区域设置，所述第一隔离多晶硅沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸、且两侧分别延伸至一条第一多晶硅栅，所述第一隔离多晶硅设置于所述隔离结构与所述增强型VDMOS区域的交界处，所述耗尽型VDMOS区域在第一方向上的两侧均设置有所述第一隔离多晶硅，在所述第一隔离多晶硅相对所述耗尽型VDMOS区域一侧的第一多晶硅栅延伸至所述第一隔离多晶硅；所述增强型VDMOS区域设置有增强管P阱，所述增强管P阱与所述隔离P阱之间存在间隔从而不接触。
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