[发明专利]SPM清洗设备的晶圆静电释放装置及方法在审
| 申请号： | 201810379423.7 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN108598020A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 刘玫诤 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H05F3/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，包括：离子发生器和离子喷嘴，离子喷嘴和离子发生器连接，离子发生器产生正负电荷；离子喷嘴设置在SPM清洗设备的清洗腔体中；在清洗腔体中具有晶圆放置平台，SPM清洗时所述晶圆放置在晶圆放置平台上；通过离子喷嘴喷射正负电荷到晶圆的表面实现所述晶圆表面的静电释放。本发明还公开了一种SPM清洗设备的晶圆静电释放方法。本发明能提高中和晶圆表面静电的效果，通过离子喷嘴能够方便喷出位置和喷射时间的调节，且结构和工艺都简单。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 离子喷嘴 离子发生器 静电释放装置 放置平台 晶圆表面 静电释放 清洗腔体 正负电荷 喷射 喷出位置 静电 清洗 中和 | ||
【主权项】：
1.一种SPM清洗设备的晶圆静电释放装置，其特征在于,晶圆静电释放装置包括：离子发生器和离子喷嘴，所述离子喷嘴和所述离子发生器连接，所述离子发生器产生正负电荷；所述离子喷嘴设置在SPM清洗设备的清洗腔体中；在所述清洗腔体中具有晶圆放置平台，SPM清洗时所述晶圆放置在所述晶圆放置平台上；通过所述离子喷嘴喷射正负电荷到所述晶圆的表面实现所述晶圆表面的静电释放。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
