[发明专利]一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法在审
申请号: | 201810371808.9 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN108346554A | 公开(公告)日: | 2018-07-31 |
发明(设计)人: | 解林坤 | 申请(专利权)人: | 西南林业大学 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01J37/317 |
代理公司: | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人: | 董建国 |
地址: | 650000 云南省*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明提供一种等离子体刻蚀与沉积设备及方法。本设备及方法刻蚀或者沉积效率较高,刻蚀或沉积过程可控,沉积膜的膜质均匀且无针孔,效果较好;本设备设置有观察窗,可以较为直观的观察刻蚀或者沉积过程;下极板内设置有加热装置,采用热电偶进行加热,对待刻蚀或沉积改性的材料进行加热,以促使反应充分并提高反应速率;设备外壳上设置有朗缪尔探针入口,可以在反应过程中将探针伸入上下极板间的反应区域内。 | ||
搜索关键词: | 刻蚀 等离子体刻蚀 沉积设备 沉积 加热 针孔 沉积改性 沉积效率 反应区域 加热装置 设备设置 设备外壳 探针入口 沉积膜 观察窗 热电偶 下极板 极板 可控 膜质 伸入 探针 直观 观察 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体刻蚀与沉积设备,包括反应室(1),上部主体(2),下部主体(3),上电极,下电极(18),其特征在于:所述上电极包括进气口(8),长杆(11),陶瓷杆(702),陶瓷保护罩(7),上极板(4),所述进气口(8)设置在所述长杆(11)的一端,所述陶瓷杆(702)一端通过陶瓷杆固定螺栓(703)与所述长杆(11)远离进气口(8)的一端连接,所述陶瓷杆(702)的另一端通过陶瓷杆固定螺栓(703)与所述上极板(4)连接,所述陶瓷保护罩(7)设置在所述陶瓷杆(702)外,通过陶瓷保护罩固定螺栓(701)与所述长杆(11)以及所述上极板(4)连接;所述长杆(11)内部中空,所述陶瓷杆(702)内部中空,所述上极板(4)内部中空,所述长杆(11)、陶瓷杆(702)、上极板(4)内部空腔共同构成气体通道(201);所述上部主体(2)上设置有射频电源(6),所述上部主体(2)上设置有可调节上下极板间距的高度调节装置(12),所述长杆(11)设置有进气口(8)的一端安装在所述高度调节装置(12)上,所述长杆(11)的另一端伸入所述反应室(1)内;所述上部主体(2)与所述反应室(1)通过六角螺栓(101)和六角螺母(102)连接固定;所述上极板(4)上设置有多孔板(401),所述多孔板(401)上设置有通孔II(403),所述多孔板(401)通过六角螺栓III(402)和所述上极板(4)固定连接;所述下部主体(3)与所述反应室(1)通过六角螺栓(101)和六角螺母(102)连接固定,所述下部主体(3)上对称设置有两个抽真空口(9),所述抽真空口(9)通过软管(903)与真空泵(904)连接,所述软管(903)靠近真空泵(904)的一端设置有抽气速率调节装置(902),所述抽气速率调节装置(902)上设置有抽气速率调节旋钮(901);所述反应室(1)和下部主体(3)的内部设置有下电极(18),所述下电极(18)的顶部设置下极板(5),所述下极板(5)通过导线接地,所述下极板(5)内对称设置有两个热电偶(501);所述下电极(18)底部设置有下电极盖(19),所述下电极(18)和下电极盖(19)通过六角螺栓II(103)连接固定;所述反应室(1)上设置有反应室开取装置(10),所述反应室开取装置(10)上设置有铰链(22),所述铰链(22)上设置有密封门(13),所述密封门(13)上设置有观察窗(15),所述密封门(13)内设置有橡胶密封圈(20),所述反应室开取装置(10)上设置有锁紧装置(21)。
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