[发明专利]一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法在审
| 申请号： | 201810370935.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108598215A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 常青;张冠纶;吴俊旻;张鹏;谢耀辉;闫涛;洪布双 | 申请（专利权）人： | 通威太阳能（安徽）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人： | 张玺 |
| 地址： | 230088 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，步骤以下步骤：步骤一：对硅片基底进行制绒；步骤二：背面抛光及形成氧化硅；步骤三：正面氧化铝钝化层沉积；步骤四：背面氮化硅沉积；步骤五：正面氮化硅减反膜沉积；步骤六：背面印刷磷浆栅线形成n层；步骤七：背面印刷硼浆栅线形成p层；步骤八：激光烧蚀使背面形成n+层和p+层；步骤九：丝网印刷背面金属正电极、负电极；步骤十：烧结、测试。本发明利用丝网印刷的方法分别印刷磷浆和硼浆，再用激光烧蚀的方式形成n+和p+结构，相对于传统的IBC电池制备工艺，可省去相应的扩散、掩膜制备和刻蚀的步骤，缩短制备时间，极大程度上降低太阳能电池制备成本，非常值得推广。 | ||
| 搜索关键词： | 背面 制备 太阳能电池 激光烧蚀 丝网印刷 印刷 磷浆 硼浆 栅线 简易 太阳能电池制备 电池制备工艺 氧化铝钝化层 氮化硅沉积 金属正电极 背面抛光 烧结 传统的 氮化硅 负电极 膜沉积 氧化硅 硅片 基底 刻蚀 掩膜 制绒 沉积 测试 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种新型IBC太阳能电池的简易制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：对硅片基底(1)进行制绒；步骤二：背面抛光及形成氧化硅(2)；步骤三：正面氧化铝(3)钝化层沉积；步骤四：背面氮化硅(4)沉积；步骤五：正面氮化硅(5)减反膜沉积；步骤六：背面印刷磷浆栅线形成n层(6)；步骤七：背面印刷硼浆栅线形成p层(7)；步骤八：激光烧蚀使背面形成n+层(8)和p+层(9)；步骤九：丝网印刷背面金属正电极(10)、负电极(11)；步骤十：烧结、测试。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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