[发明专利]SiC单晶的制造方法和制造装置有效
| 申请号： | 201810370122.8 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN108796609B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 土井雅喜;大黑宽典;加渡干尚;佐藤友大;关和明;楠一彦;岸田丰 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/06 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 陈冠钦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶的制造方法和制造装置。提供可进行SiC单晶的长时间生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对石墨坩埚的下部进行加热。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.SiC单晶的制造方法，其是使保持于晶种保持轴的晶种基板接触放入石墨坩埚且具有从内部向液面温度降低的温度梯度的Si‑C溶液从而使SiC单晶进行晶体生长的SiC单晶的制造方法，包括：利用感应线圈对上述Si‑C溶液进行电磁搅拌以使其流动，和利用电阻加热器对上述石墨坩埚的下部进行加热。
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