[发明专利]适用于NAND闪存的LDPC译码方法有效

专利信息
申请号: 201810369720.3 申请日: 2018-04-24
公开(公告)号: CN108563534B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 裴永航;高美洲 申请(专利权)人: 山东华芯半导体有限公司
主分类号: G06F11/10 分类号: G06F11/10;H03M13/11
代理公司: 济南泉城专利商标事务所 37218 代理人: 赵玉凤
地址: 250101 山东省济南市高新*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开一种适用于NAND闪存的LDPC译码方法,引入新的判断变量En,在不显著增加计算量的基础上,获得了优于比特翻转算法的性能。针对NAND闪存电路,新纠错算法还有以下优点:逻辑复杂度低,编程电路简单;仅需实数运算,无浮点运算或乘除运算,运算功耗小;适用于并行结构,运算时延低;翻转阈值可调,通过调整阈值,可实现时延和纠错性能的动态平衡。
搜索关键词: 适用于 nand 闪存 ldpc 译码 方法
【主权项】:
1.适用于NAND闪存的LDPC译码方法,其特征在于:包括以下步骤:S01)、设LDPC码的码长为N、信息位长为K,其校验矩阵Hmn为 M ×N 的稀疏矩阵 [hmn ],M、N、K为大于0的正整数,0≤m≤M‑1, 0≤n≤N‑1,Hmn的每列有γ个1,每行有ρ个1,γ、ρ为大于或者等于0的整数,校验矩阵的大小为M*N,每行用h0, h1, ……, hM‑1表示,其中hj = ( hj,0, hj,1, ……, hj(N‑1)),0≤j < M;将参与第m个校验方程的比特的集合即校验矩阵 Hmn第m 行的1所在的列的集合记为 N(m)={n:hmn = 1};将第 n个比特参与的校验方程的集合即校验矩阵 Hmn第 n 列的1所在的行的集合记为M(n)={m:hmn = 1};读取码字序列c = [c0, c1, …, cN‑1],该码字序列经过调制后得到得到信道输出序列r =[r0, r1,…, rN‑1],根据序列 r 进行判决得到二进制硬判决序列z = [z0, z1,…,zN‑1],序列z的码元比特zn为:,0≤n≤N −1;S02)、初始化最大迭代数CNT,S03)、判断最大迭代数是否小于零,如果是,则返回译码失败,结束译码;否则进入一下步骤;S04)、根据硬判决序列 z 计算校正因子s = [s0, s1, s2,…..sM‑1],,S05)、判断校正因子是否为零,如果校正因子为零,则译码成功,结束译码,否则进入下一步;S06)、对序列z中的每一个码元比特zn,计算其参与的不满足校验方程的个数fn,并求得fn的最大值max_fn ,其中;S07)、对不满足校验方程个数最大的码元比特zn,计算zn的错误比特判决标准En ,;S08)、对不满足校验方程个数最大的码元比特zn,如果其错误比特判决标准En大于阈值T,翻转对应的码元比特zn;S09)、迭代次数减一,重复步骤S03‑S08。
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