[发明专利]硅基负极活性材料的制备方法及硅基负极活性材料、锂离子电池负极材料和锂离子电池在审
| 申请号： | 201810368430.7 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN108598413A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 徐艳红;苗力孝 | 申请（专利权）人： | 桑德集团有限公司;桑顿新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M10/0525;C01B32/198 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李佳 |
| 地址： | 西藏自治区林芝市巴宜区*** | 国省代码： | 西藏;54 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅基负极活性材料的制备方法及硅基负极活性材料、锂离子电池负极材料和锂离子电池，涉及锂离子电池技术领域，所述制备方法包括在纳米硅外包覆二氧化硅层的过程加入高分子保护剂，并在二氧化硅层外包覆氧化石墨烯层，最后通过氢氟酸刻蚀，得到以纳米硅为核，从内至外依次包覆有二氧化硅层和石墨烯层的Si/void/SiO2/void/Graphene复合材料，缓解了现有通过单一硅纳米化或碳包覆以及制备多孔结构等方法很难获得硅基负极活性材料性能极大改善的技术问题，本发明提供方法制备得到的硅基负极活性材料不仅能够缓冲纳米硅核在充放电过程中的体积变化，而且能够提高硅基负极活性材料的导电性能和力学韧性。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基负极 活性材料 制备 二氧化硅层 锂离子电池 纳米硅 锂离子电池负极材料 外包覆 高分子保护剂 氧化石墨烯层 充放电过程 导电性能 多孔结构 力学韧性 石墨烯层 体积变化 复合材料 硅纳米 氢氟酸 碳包覆 缓冲 包覆 刻蚀 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种硅基负极活性材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在纳米硅粉上包覆含有高分子保护剂的SiO2，得到以纳米硅为核，二氧化硅为壳层的Si/SiO2复合材料；(b)在Si/SiO2复合材料上包覆氧化石墨烯，得到以氧化石墨烯为壳层，包覆Si/SiO2复合材料的Si/SiO2/GO复合材料；(c)将Si/SiO2/GO复合材料进行煅烧，得到Si/SiO2/Graphene复合材料；(d)采用强酸溶液刻蚀Si/SiO2/Graphene复合材料，得到以纳米硅为核，从内至外依次包覆有二氧化硅层和石墨烯层，且纳米硅与二氧化硅层及二氧化硅层与石墨烯层之间均具有空隙的Si/void/SiO2/void/Graphene复合材料。
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