[发明专利]浅沟槽隔离结构及其制造方法

摘要

本发明提供浅沟槽隔离结构及其制造方法，该制造方法包括步骤S1：提供一半导体基底，所述半导体基底具有一基底上表面，由所述半导体基底的基底上表面上形成深宽比介于10～30的至少一个隔离沟槽；S2：在所述半导体基底上形成反应内衬层；S3：在所述反应内衬层上形成沉积内衬层；S4：在具有所述沉积内衬层的所述隔离沟槽内旋涂流动性填充材料；S5：固化所述流动性填充材料，使得所述流动性填充材料固化为隔离填充体，所述隔离填充体内有一固化应力，所述固化应力反向于所述内应力；S6：去除所述隔离填充体在所述基底上表面以上的部位，以制成所述浅沟槽隔离结构。本发明有效地避免了有源区域倒塌的发生，且可以避免空洞产生，提高晶圆产品良率。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：提供一半导体基底，所述半导体基底具有一基底上表面，由所述半导体基底的基底上表面上形成深宽比介于10～30的至少一个隔离沟槽，用以界定出晶体管的有源区，所述隔离沟槽具有沟槽底部和沟槽侧壁，所述沟槽侧壁以非垂直的倾斜角度连接所述沟槽底部和所述基底上表面；S2：在所述半导体基底上形成反应内衬层，所述反应内衬层覆盖所述沟槽底部、所述沟槽侧壁和所述基底上表面；S3：在所述反应内衬层上形成沉积内衬层，所述沉积内衬层的厚度变异差值大于所述反应内衬层的厚度变异差值，以使所述沉积内衬层内有内应力；S4：在具有所述沉积内衬层的所述隔离沟槽内旋涂流动性填充材料，以填满所述隔离沟槽并覆盖在所述隔离沟槽内的所述沉积内衬层，所述流动性填充材料更形成于所述基底上表面上；S5：固化所述流动性填充材料，使得所述流动性填充材料固化为隔离填充体，所述隔离填充体内有一固化应力，所述固化应力反向于所述内应力；S6：去除所述隔离填充体在所述基底上表面以上的部位，以制成所述浅沟槽隔离结构。