[发明专利]一种MPCVD合成设备、控制方法及合成方法在审
申请号: | 201810360069.3 | 申请日: | 2018-04-20 |
公开(公告)号: | CN108546933A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 黄翀;唐跃强;彭国令 | 申请(专利权)人: | 长沙新材料产业研究院有限公司 |
主分类号: | C23C16/511 | 分类号: | C23C16/511;C23C16/513;C23C16/517;C23C16/52 |
代理公司: | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人: | 郭立中;胡凌云 |
地址: | 410205 湖南省*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种MPCVD合成设备、控制方法及合成方法,该合成设备包括微波发生装置、反应腔和供气装置;其特征在于,还包括微波反射测量装置、温度测量装置、真空测量装置、气压控制装置和控制中心,所述微波发生装置、微波反射测量装置、温度测量装置、真空测量装置、气压控制装置和供气装置分别与控制中心通信连接。本发明通过功率‑气压‑温度‑反射微波的自动匹配并实现动态平衡,可将反应腔体内部的环境稳定在最适合目标产品合成的环境条件,提高目标产品合成速率和合成质量;功率‑气压‑温度‑反射微波的自动匹配,可有效提高操作人员的操作效率,省时省力;有效提高磁控管的使用效率,保障使用安全。 | ||
搜索关键词: | 合成 合成设备 气压控制装置 微波发生装置 温度测量装置 真空测量装置 测量装置 反射微波 供气装置 控制中心 目标产品 微波反射 自动匹配 反应腔 气压 操作效率 动态平衡 环境稳定 使用效率 通信连接 磁控管 速率和 体内部 省时 省力 | ||
【主权项】:
1.一种MPCVD合成设备,其特征在于:包括微波发生装置、微波传输系统、与微波传输系统连接的反应腔(2)和用于为反应腔提供反应气体的供气装置;用于测量反应腔内目标产品表面温度的温度测量装置、用于测量反应腔内气压的真空测量装置、用于调节反应腔内气压的气压控制装置和控制中心,所述微波发生装置、温度测量装置、真空测量装置、气压控制装置分别与控制中心通信连接;所述控制中心接受、识别各装置反馈来的数据信号,并对数据信号进行分析处理后,向相应装置发出相应指令。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙新材料产业研究院有限公司,未经长沙新材料产业研究院有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810360069.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带温度控制的多室喷头
- 下一篇:远程等离子体膜沉积中的晶片级均匀性控制
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的