[发明专利]一种MPCVD合成设备、控制方法及合成方法

权利要求书

1.一种MPCVD合成设备，其特征在于：包括微波发生装置、微波传输系统、与微波传输系统连接的反应腔（2）和用于为反应腔提供反应气体的供气装置；用于测量反应腔内目标产品表面温度的温度测量装置、用于测量反应腔内气压的真空测量装置、用于调节反应腔内气压的气压控制装置和控制中心，所述微波发生装置、温度测量装置、真空测量装置、气压控制装置分别与控制中心通信连接；所述控制中心接受、识别各装置反馈来的数据信号，并对数据信号进行分析处理后，向相应装置发出相应指令。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于：还包括用于测量反射微波的微波反射测量装置，微波反射测量装置与控制中心连接，或者，微波反射测量装置与微波发生装置连接。

3.如权利要求1所述的设备，其特征在于：供气装置的启/停控制开关由控制中心控制，或者由使用人员手动控制；优选的，由控制中心控制。

4.如权利要求1-3任一项所述的MPCVD合成设备的控制方法，其特征在于：温度测量装置将反应腔体内目标产品表面温度反馈至控制中心，控制中心判断温度是否超出目标温度范围，如果超出目标温度范围，将触发功率-气压-温度自动平衡功能，当温度高于目标温度范围，控制中心先向微波发生装置发送功率调节指令，降低输出功率，之后向气压控制装置发送气压调整指令，降低反应腔体气压，直至目标产品的表面温度落入目标温度范围；当温度低于目标温度范围，控制中心先向气压调节装置发送功率调节指令，增加气压，之后向微波发生装置发送气压调整指令，增加气压，直至目标产品的表面温度落入目标温度范围。

5.如权利要求4所述的控制方法，其特征在于：所述的功率调节指令与气压调节指令相对应，具体功率调节幅度与对应的气压调节幅度可以根据不同的反应进行设定；可选的，微波输出功率降低4-100W，气压降低0-5mbar；气压增加0.5~5mbar，功率增加4-100W。

6.如权利要求1-3任一项所述的MPCVD合成设备控制方法，其特征在于，温度测量装置将反应腔体内目标产品表面温度反馈至控制中心，控制中心判断温度是否超出目标温度范围，如果超出目标温度范围一定时间，将触发功率-气压-温度自动平衡功能，当温度超出目标温度范围，控制中心先向微波发生装置发送功率调节指令，降低输出功率，之后向气压控制装置发送气压调整指令，降低反应腔体气压，直至目标产品的表面温度落入目标温度范围；当温度低于目标温度范围，控制中心先向气压调节装置发送功率调节指令，增加气压，之后向微波发生装置发送气压调整指令，增加气压，直至目标产品的表面温度落入目标温度范围。

7.如权利要求6所述的控制方法，其特征在于：所述的超出目标温度范围一定时间的具体时间可以根据实际工艺需要进行设定，可选的，一定时间为0-30分钟，进一步地，0.1-15分钟，进一步地，0.1-10分钟。

8.如权利要求6所述的控制方法，其特征在于：所述的功率调节指令与气压调节指令相对应，具体功率调节幅度与对应的气压调节幅度根据不同的反应进行设定，可选的，微波输出功率降低4-100W，气压降低0-5mbar；气压增加0.5~5mbar，功率增加4-100W。