[发明专利]p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法有效
| 申请号： | 201810356314.3 | 申请日： | 2018-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN108538714B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 郭艳敏;房玉龙;尹甲运;李佳;王波;张志荣;芦伟立;高楠;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于半导体技术领域，提供了一种p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法。该方法包括：在衬底上生长非掺杂Ⅲ族氮化物外延层；在所述非掺杂Ⅲ族氮化物外延层的上表面生长p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层；在氮氧化物气氛中激活所述p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层中的掺杂元素。本发明能够提高p型Ⅲ族氮化物材料载流子浓度和导电性。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上生长非掺杂Ⅲ族氮化物外延层；在所述非掺杂Ⅲ族氮化物外延层的上表面生长p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层；在氮氧化物气氛中激活所述p型掺杂的Ⅲ族氮化物外延层中的掺杂元素。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第十三研究所，未经中国电子科技集团公司第十三研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810356314.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
