[发明专利]一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法

摘要

本发明公开了一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法，包括如下步骤：1)备材及处理：将所述管芯进行磷纸烧除及磷预沉积，对所述管芯的单面进行喷砂涂硼扩散，再对所述管芯的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化；2)一次光刻、开沟及清洗：一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶，所述管芯背面也要用胶保护；一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟要在冷冻环境下进行，温度不可超过18℃，台面的温度要控制在33℃左右；开沟完成后通过混合酸进行三次清洗，温度要控制在70～85℃，时间各15min，清洗后再利用大量去离子水冲洗；3)玻璃胶的配制及二次光刻，该制造方法，有利于大幅度提高高压硅堆的生产效率。

主权项

1.一种高可靠玻璃钝化高压硅堆的制造方法，高压硅堆包括保护罩(1)、电极引线(2)、钨电极(3)、管芯(4)和芯片(5)；其制作方法包括以下步骤，其特征在于：1)备材及处理：将所述管芯(4)进行磷纸烧除及磷预沉积，对所述管芯(4)的单面进行喷砂涂硼扩散，再对所述管芯(4)的双面进行喷砂，然后对其进行清洗氧化；2)一次光刻、开沟及清洗：一次光刻，光刻胶采用高抗蚀性光刻胶(环化橡胶类，粘度为450以上)，所述管芯(4)背面也要用胶保护；一次光刻完毕后，进行开沟作业，开沟要在冷冻环境下进行，温度不可超过18℃，台面的温度要控制在33℃左右；开沟完成后通过混合酸进行三次清洗，温度要控制在70～85℃，时间各15min，清洗后再利用大量去离子水冲洗；3)玻璃胶的配制及二次光刻：采用光刻胶和玻璃粉比例混合，球磨而成玻璃胶，球磨时间一般不少于4小时；玻璃胶配制好后就可进行二次光刻，其上玻璃胶、前烘、曝光等工艺与一次光刻相同，关键是显影、定影，这种用光刻胶配制的玻璃胶显影需用显影机，显影液是通过喷枪到晶片表面，将未曝光的玻璃胶去除干净，只保留PN结侧面上的玻璃胶；4)玻璃烧结和镀膜：二次光刻上玻璃胶，显影烘干后，进行玻璃烧结钝化，玻璃网膜形成后，再进行镀膜，即在玻璃网膜之上淀积一层二氧化硅保护膜；5)三次光刻、镀镍和镀金：三次光刻除去引线孔上的二氧化硅层，再进行镀镍，二次镀镍后再进行镀金，由玻璃胶、二氧化硅层、镀镍层和镀金层形成所述保护罩(1)；6)切割和裂片：将所述管芯(4)镀金后，经检验合格进行切割形成所述芯片(5)，采用冷冻裂片，将切割好的所述芯片(5)用去离子水贴到冷冻机的不锈钢板上，30min后将蓝膜取下，所述芯片(5)就粘到不锈钢板上，然后用去离子水将所述芯片(5)冲到筛网里，用异丙醇脱水、烘干即可；7)再将含有所述钨电极(3)的所述电极引线(2)焊接在所述芯片(5)的两端。