[发明专利]切割芯片接合薄膜有效
| 申请号： | 201810345577.4 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108728000B | 公开（公告）日： | 2022-07-08 |
| 发明（设计）人： | 木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/24 | 分类号： | C09J7/24;C09J7/30;C09J7/38;C09J133/20;C09J175/04;C09J11/04;C09J11/06;C08G18/62;C08F220/18;C08F220/20 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m |
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| 搜索关键词： | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种切割芯片接合薄膜，其具备：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与所述切割带中的所述粘合剂层可剥离地密合，用于形成所述粘接剂层与所述粘合剂层的界面的、所述粘接剂层的表面及所述粘合剂层的表面能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。
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