[发明专利]切割芯片接合薄膜

说明书

本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m²以上的表面自由能差。

技术领域

本发明涉及在半导体装置的制造过程中能使用的切割芯片接合薄膜。

背景技术

在半导体装置的制造过程中，为了得到带有芯片接合用的尺寸与芯片相当的粘接薄膜的半导体芯片、即带有芯片接合用的粘接剂层的半导体芯片，有时使用切割芯片接合薄膜。切割芯片接合薄膜具有与作为加工对象的半导体晶圆对应的尺寸，例如具有：包含基材及粘合剂层的切割带；和可剥离地密合在其粘合剂层侧的芯片接合薄膜(粘接剂层)。

作为使用切割芯片接合薄膜得到带有粘接剂层的半导体芯片的方法之一，已知经由对切割芯片接合薄膜中的切割带进行扩展而将芯片接合薄膜割断的工序的方法。该方法中，首先，在切割芯片接合薄膜的芯片接合薄膜上贴合半导体晶圆。该半导体晶圆例如以之后与芯片接合薄膜的割断一同被割断而能够单片化为多个半导体芯片的方式进行了加工。接着，为了以由切割带上的芯片接合薄膜产生分别密合在半导体芯片上的多个粘接薄膜小片(粘接剂层)的方式将该芯片接合薄膜割断，使用扩展装置对切割芯片接合薄膜的切割带进行扩展(割断用的扩展工序)。在该扩展工序中，在相当于芯片接合薄膜中的割断位置的位置处，芯片接合薄膜上的半导体晶圆也发生割断，在切割芯片接合薄膜和/或切割带上，半导体晶圆单片化为多个半导体芯片。接着，对于切割带上的割断后的多个带有粘接剂层的半导体芯片，为了扩大相互间的距离，进行再次的扩展工序(分隔用的扩展工序)。接着，在经过例如清洗工序之后，通过拾取机构的针状构件从切割带的下侧顶起切割带上的带有粘接剂层的各半导体芯片，之后从切割带上拾取半导体芯片(拾取工序)。这时，拾取对象的带有粘接剂层的半导体芯片中的粘接剂层需要从切割带的粘合剂层适宜地剥离。如上操作，得到带有芯片接合薄膜即粘接剂层的半导体芯片。该带有粘接剂层的半导体芯片借助其粘接剂层通过芯片接合固定在安装基板等被粘物上。对于例如如以上来使用的切割芯片接合薄膜的相关技术，记载于例如下述专利文献1～3中。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-2173号公报

专利文献2：日本特开2010-177401号公报

专利文献3：日本特开2012-23161号公报

发明内容

发明要解决的问题

图14以剖面示意图来表示作为切割芯片接合薄膜的一例的切割芯片接合薄膜Y。切割芯片接合薄膜Y包含切割带60及芯片接合薄膜70。切割带60为基材61与发挥粘合力的粘合剂层62的层叠结构。芯片接合薄膜70依靠粘合剂层62的粘合力与粘合剂层62密合。这样的切割芯片接合薄膜Y具有尺寸与作为半导体装置的制造过程中的加工对象即工件的半导体晶圆对应的圆盘形状，可以用于上述扩展工序。例如如图15所示，在半导体晶圆81贴合于芯片接合薄膜70、且环形框82贴附于粘合剂层62的状态下实施扩展工序。环形框82是在贴附于切割芯片接合薄膜Y的状态下、扩展装置具备的输送臂等输送机构输送工件时机械性地抵接的框构件。切割芯片接合薄膜Y以这样的环形框82依靠切割带60的粘合剂层62的粘合力而能够固定于该薄膜的方式设计。即，切割芯片接合薄膜Y具有在切割带60的粘合剂层62中在芯片接合薄膜70的周围确保了环形框构件贴合用区域这样的现有的设计。在这样的设计中，粘合剂层62的外周端62e与芯片接合薄膜70的外周端70e之间的薄膜面内方向的间隔距离为10～30mm左右。