[发明专利]一种利用高射频功率溅射制备ITO纳米线及其气体传感器的方法有效
| 申请号： | 201810344986.2 | 申请日： | 2018-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN108588657B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 李强;张袁涛;云峰 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;G01N27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 田洲 |
| 地址： | 710049 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种利用高射频功率制备ITO纳米线及其气体传感器的方法，包括：对衬底或陶瓷管进行预处理，然后置于磁控溅射腔中，调整溅射室气压和温度，并通入氩气和氧气的混合气体，利用磁控溅射的方式，在高频条件下轰击ITO靶材磁控溅射，进行一次生长，利用自催化原理在衬底或陶瓷管表面制备一层ITO纳米线。利用同样的方法可将ITO纳米线一步直接沉积到陶瓷管上制备气体传感器，陶瓷管两端具有电极引线，并且陶瓷管内部具有加热丝，可直接对传感器进行加热。本发明的优点在于纳米线生长速度快，制备过程简单、成本低，能够一步制备气体传感器，极大缩减制备工艺与流程，且材料具有良好的气敏特性，制备出的传感器对酒精表现出良好的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 射频 功率 溅射 制备 ito 纳米 及其 气体 传感器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：对衬底或陶瓷管进行预处理，然后置于磁控溅射腔中，调整溅射室气压和温度，并通入氩气和氧气的混合气体，利用磁控溅射的方式，在高频条件下轰击ITO靶材磁控溅射，进行一次生长，利用自催化原理在衬底或陶瓷管表面制备一层ITO纳米线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安交通大学，未经西安交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810344986.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
