[发明专利]一种利用高射频功率溅射制备ITO纳米线及其气体传感器的方法

权利要求书

1.一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，包括以下步骤：对衬底或陶瓷管进行预处理，然后置于磁控溅射腔中，调整溅射室气压和温度，并通入氩气和氧气的混合气体，利用磁控溅射的方式，在高频条件下轰击ITO靶材磁控溅射，进行一次生长，利用自催化原理在衬底或陶瓷管表面制备一层ITO纳米线；

将预处理过的衬底或陶瓷管放在溅射室托盘上，调整磁控溅射工艺参数：射频功率为250-300W，氩气和氧气的混合气体的比例为Ar：O₂＝25sccm:0.2sccm；溅射室气压为1Pa，温度为500℃。

2.根据权利要求1所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，磁控溅射的时间为20-60分钟，之后自然冷却至室温获得ITO纳米线。

3.根据权利要求2所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，自然冷却至室温后，在空气氛围下，400-500℃下快速退火5min，获得淡黄色ITO纳米线。

4.根据权利要求3所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，所获得淡黄色ITO纳米线的横向尺寸分布在30-70nm之间，长度可以达到2μm。

5.根据权利要求3所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法，其特征在于，所获得淡黄色ITO纳米线的XRD测试结果，有两个主要的衍射峰，30.5°和35.4°分别对应氧化铟锡的(222)和(400)晶面；ITO纳米线的单晶结构中晶面间距为0.412nm。

6.一种ITO纳米线气体传感器的制备方法，其特征在于，采用权利要求1所述的一种利用高射频功率制备ITO纳米线的方法将ITO纳米线直接一步制备于接有引线的陶瓷管表面，所述陶瓷管内置有加热丝。