[发明专利]发光二极管结构有效
申请号: | 201810338770.5 | 申请日: | 2013-08-01 |
公开(公告)号: | CN108538983B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 黄逸儒;罗玉云;吴志凌;黄靖恩;丁绍滢 | 申请(专利权)人: | 新世纪光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L33/20 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 吴志红;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管结构,包括基板、半导体磊晶层以及反射导电结构层。半导体磊晶层配置于基板上且暴露出基板的一部分。反射导电结构层覆盖部分半导体磊晶层以及被半导体磊晶层所暴露出的基板的部分。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管结构,包括:基板,具有倾斜面;半导体磊晶结构,设置在该基板上,且至少暴露出该基板的该倾斜面,该半导体磊晶结构包括一第一型半导体层、一发光层以及一第二型半导体层,依序设置在该基板上,该半导体磊晶结构的一侧表面包括该第一型半导体层、该发光层以及该第二型半导体层;第一绝缘层,覆盖该半导体磊晶结构的整个该侧表面及该基板的至少部分该倾斜面,并暴露出部分该半导体磊晶结构;第一反射层,至少部分设置在该半导体磊晶结构及该第一绝缘层上;第二反射层,设置在该第一反射层及该第一绝缘层上;第二绝缘层,设置在该第二反射层上;以及至少一电极设置在该第二绝缘层上,且电性连接该半导体磊晶结构。
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